UCC27710DR は、620V の高側および低側ゲートドライバーで、0.5A のプル電流と 1.0A のプッシュ電流能力を備え、パワー MOSFET または IGBT の駆動専用に設計されています。
IGBT に対しては、VDD 動作電圧として 10V から 20V が推奨され、MOSFET に対しては 17V が推奨されます。
UCC27710DR は保護機能を備えており、入力がオープン状態のままの場合、または最低入力パルス幅規格を満たさない場合、出力はローレベルを維持します。相互ロックとデッドタイム機能により、2つの出力が同時にオンになることを防止します。さらに、このデバイスは10Vから20Vの広いバイアス電源範囲に対応し、VDDおよびHBバイアス電源に対してUVLO保護を提供します。
このデバイスはTIの先進的な高電圧デバイス技術を採用し、強力なドライバーを備え、優れたノイズ耐性と過渡応答耐性を実現しています。これには、大きな入力負電圧許容範囲、高いdV/dt許容範囲、スイッチングノードにおける広い負過渡安全動作領域(NTSOA)、および相互ロックが含まれます。
このデバイスには、接地基準チャネル (LO) と浮遊チャネル (HO) が含まれており、後者はブートストラップ電源または絶縁電源動作専用です。このデバイスは高速伝播遅延特性を備え、2つのチャネル間で優れた遅延マッチングを実現します。UCC27710DR では、各チャネルはそれぞれ独自の入力ピン HI と LI で制御されます。
UCC27710DR の特徴
• 高側と低側の構成
• ダブル入力、出力相互ロックと150nsのデッドタイム
• 620Vまでの電圧で完全に正常に動作し、HBピン上の絶対最大電圧は700V
• VDDの推奨範囲は10Vから20V
• ピーク出力電流:0.5A(プル電流)、1.0A(プッシュ電流)
• 50V/ns の dv/dt 耐性
• HS ピン上の論理動作電圧は最大 –11V
• 入力負電圧耐性は –5V
• 大型の負の過渡安全動作領域
• 2 つのチャネルに UVLO 保護を提供
• 短い伝播遅延(典型値 140ns)
• 遅延マッチング(典型値 8ns)
• ブートストラップ動作用に設計された浮遊チャネル
• 低静止電流
• TTL および CMOS 互換入力
• 業界標準 SOIC-8 パッケージ
• 全てのパラメーター定格温度範囲:–40°C から +125°C
UCC27710DR の応用
• モータ駆動(ステッピングモータ、HVAC、ファン、電動工具、ロボット、ドローン、サーボ)
• 照明、LED電源、室内照明
• 家電製品、洗濯機と乾燥機、冷蔵庫
• 誘導加熱
• 直流から交流へのインバータ
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