商品名称:NCD57091BDWR2G
データマニュアル:NCD57091BDWR2G.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:8-SOIC
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
NCD57091BDWR2Gは、5kVrms内部ガルバニック絶縁の大電流シングルチャンネルIGBT/MOSFETゲートドライバで、高電力アプリケーションにおける高いシステム効率と信頼性のために設計されています。
特長
高ピーク出力電流 (+6.5 A/-6.5 A)
低クランプ電圧降下により、スプリアスゲートターンオンを防止するための負電源が不要(バージョンA/D/F)
正確なマッチングによる短い伝搬遅延
短絡時のIGBT/MOSFETゲートクランプ
IGBT/MOSFETゲート・アクティブ・プルダウン
バイアスの柔軟性を高めるタイトなUVLOスレッショルド
マイナスVEE2を含む広いバイアス電圧範囲(バージョンB)
3.3 V、5 V、および15 Vロジック入力
5 kVrmsガルバニック絶縁
高過渡イミュニティ
高い電磁イミュニティ
NCV接頭辞は、独自のサイトおよび制御変更要件が必要な自動車およびその他のアプリケーション用で、AEC-Q100認定およびPPAP対応。
これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。
用途
モーター制御
無停電電源装置(UPS)
自動車用アプリケーション
産業用電源
ソーラー・インバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
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