商品名称:DMWS120H100SM4
データマニュアル:DMWS120H100SM4.pdf
ブランド:Diodes
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
DMWS120H100SM4 1200V Nトレンチカーバイド(SiC)パワーMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながらオン抵抗を最小限に抑えることを目指しています。産業用モータードライブ、太陽光エネルギーシステム、直流-直流コンバータ、データセンターや電気通信用電源などで高密度かつ高効率を実現できます。
スペックです
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)です
ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 37.2A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 15Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):100ミリオ@ 20A, 15Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):3.5V @ 5mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):52 nC @ 15 Vです。
Vgs(最大値):+19V, -8Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1516 pF @ 1000 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):208W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-4です。
パッケージ/ハウジング:to-247-4です。
基本品番:DMWS120です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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