商品名称:GNP1150TCA-ZE2
データマニュアル:GNP1150TCA-ZE2.pdf
ブランド:ROHM
年:23+
パッヶージ:8-PowerDFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
GNP1150TCA-ZE2は、低オン抵抗と高速スイッチングにより、電力変換効率の向上と小型化を実現しています。 この高信頼性GNP1 FETは、ESD保護機能を内蔵し、放熱性に優れているため、設置が容易です。 アプリケーションには、高いスイッチング周波数と高密度コンバータが含まれます。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):650 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 11A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、5.5V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):195 mΩ@1.9A、5.5V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 2.4V @ 18mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 2.7 nC @ 6 V
Vgs(最大):+6V、-10V
入力キャパシタンス(Ciss)@異なるVds(最大): 112 pF @ 400 V
許容損失(最大): 62.5 W(Tc)
動作温度: 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: DFN8080AK
パッケージ/ケース: 8-PowerDFN
アプリケーション
● 高スイッチング周波数コンバータ
● 高密度コンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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