商品名称:GNP1070TC-ZE2
データマニュアル:GNP1070TC-ZE2.pdf
ブランド:ROHM
年:23+
パッヶージ:DFN8080K
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
GNP1070TC-ZE2は、低オン抵抗と高速スイッチングにより、電力変換効率の向上と小型化を実現しています。 この高信頼性GNP1 FETは、ESD保護機能を内蔵し、放熱性に優れているため、設置が容易です。 アプリケーションには、高スイッチング周波数および高密度コンバータが含まれます。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):650 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 20A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、5.5V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 98ミリオーム@1.9A、5.5V
異なるIdでのVgs(th)(最大):2.4V @ 18mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 5.2 nC @ 6 V
Vgs(最大):+6V、-10V
入力キャパシタンス(Ciss)(異なるVds(最大)時): 200 pF @ 400 V
許容損失(最大): 56W(Tc)
動作温度: 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: DFN8080K
パッケージ/ケース: 8-PowerDFN
アプリケーション
● 高スイッチング周波数コンバータ
● 高密度コンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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RGS00TS65EHRYC13
RGS00TS65EHRYC13 は、650V/50A の超高速スイッチング型IGBTで、ROHM Field Stop Trench IGBT シリーズに属し、高効率な電源変換用に設計されています。RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13フィールド遮断チャネルIGBTは、低い集電電極-エミッタ飽和電圧、低いスイッチング損失、短絡耐性時間(5μs)を特徴とします。このIGBTは、高圧力下での確実な動作を保証します。高速ソフトリカバリFRDを内蔵して効率を高め、鉛フリーメッキはRoHS規格に準拠…SCT4062KWATL
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SCT4045DWATLは、750 V 31A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4045DWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4045DWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバー…SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTLは、750 V 31Aの自動車用NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4045DWAHRTL の特長AEC-Q101規格に準拠低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4045DWAHRTL の用途自…SCT4026DWATL
SCT4026DWATLは、750 V 51A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4026DWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4026DWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバー…連絡先電話:86-755-83294757
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