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深圳市明佳達電子有限会社

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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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操作

IPT60R016CM8

製品の説明:600V CoolMOS™ 8 パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT60R037CM8

製品の説明:600V CoolMOS™ 8 パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTA60R180CM8

製品の説明:600V CoolMOS™ 8 パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:PG-LHSOF-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT60R180CM8

製品の説明:600V CoolMOS™ 8 パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE057N10NM6CG

製品の説明:OptiMOSTM6 パワートランジスタ、100V

パッヶージ:PG-TTFN-9
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R053M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R008M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R022M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V GII搭載CoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R040M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R078M2H

製品の説明:TO-263-7のクールSiC™ MOSFET 1200 V G2

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R181M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2のクーラントSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R012M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R116M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R017M2H

製品の説明:外形寸法TO-263-7 1200 V G2のCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC130N20NM6

製品の説明:OptiMOSTM6パワートランジスタ、200V

パッヶージ:TSON-8-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZH120R120M1T

製品の説明:Nチャンネル 1200V 22A(Tc) 133W(Tc) スルーホール PG-TO247-4-11

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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