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SPA16N50C3

製品の説明:スルーホール Nチャンネル 560 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31

パッヶージ:TO-220FP-3
10起
31518
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB038N12N3G

製品の説明:MOSFET Nチャンネル 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

パッヶージ:PG-TO263-3
10起
22500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF015N10N5

製品の説明:OptiMOS™ 5 パワーMOSFET 100 V D²PAK 7ピン

パッヶージ:TO-263-7
10起
5880
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP4110PBF

製品の説明:TO-247パッケージの100VシングルNチャンネルStrongIRFET™パワーMOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
3385
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC104N12LM6

製品の説明:OptiMOS™ 6パワートランジスタ、120V

パッヶージ:TDSON-8
10起
44520
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH35N03LM5CG

製品の説明:OptiMOS™ パワーMOSFET 30 V

パッヶージ:TTFN-9
10起
3385
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPA50R280CE

製品の説明:MOSFET Nチャンネル 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE

パッヶージ:TO-220-3
10起
17000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS6H801NLT1G
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル 80V、2.7mΩ

パッヶージ:DFN5
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF019N12NM6ATMA1

製品の説明:完全に最適化されたクラス最高の性能 120 Vのトランジスタ

パッヶージ:PG-TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH45N04LM6ATMA1

製品の説明:OptiMOS™ パワーMOSFET 40Vロジックレベル、PQFN 5x6ソースダウンパッケージ、超低RDS(on)

パッヶージ:PG-TSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH88N06LM5CGATMA1

製品の説明:OptiMOS™ パワーMOSFET 60 V、PQFN 5x6 mm2ソースダウンパッケージ、業界をリードするRDS(on)

パッヶージ:PG-TTFN-9
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL33N60DM6
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル600 V 21A (Tc) 150W (Tc) PowerFlat™(8 × 8) HV

パッヶージ:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL26NM60N
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル600 V 19 A 125mW (Ta), 3W (Tc) PowerFlat™(8x8) HV

パッヶージ:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL28N60DM2
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル600 V 21A (Tc) 140W (Tc) PowerFlat™(8 × 8) HV

パッヶージ:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL47N60M6
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル600 V 31A (Tc) 189W (Tc) PowerFlat™(8x8) HV

パッヶージ:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL57N65M5
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) PowerFlat™(8x8) HV

パッヶージ:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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