商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:TDSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:44520 件
ISC104N12LM6は、インフィニオンのOptiMOS™ 6パワーMOSFETファミリに属します。 SuperSO8パッケージのロジックレベル120 V MOSFETで、オン抵抗は10.4 mOhmです。
ISC104N12LM6の仕様:
製品カテゴリ:MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:TDSON-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 120 V
Id-連続ドレイン電流: 63 A
Rds-ドレインオン抵抗:10.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:2.2 V
Qg - ゲート電荷量: 10.4 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 175 C
Pd-消費電力:94 W
チャネル・モード: エンハンスメント
商品名: OptiMOS
構成: Single
ドロップアウト時間: 4 ns
順方向トランスコンダクタンス - min: 30 S
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 2.5 ns
サブカテゴリー: MOSFET
標準ターンオフ遅延時間: 14 ns
標準ターンオン遅延時間: 6 ns
特徴
Nチャンネル、対数レベル
非常に低いオン抵抗RDS(on)
優れたゲート電荷×RDS(on)積(FOM)
非常に低い逆回復電荷 (Qrr)
高いアバランシェエネルギーレベル
175℃動作温度
高周波スイッチングおよび同期補正用に最適化
鉛フリーめっき、RoHS対応
J-STD-020によりMSL1に分類
想定される用途
電動工具および園芸工具
アダプターおよび急速充電器
太陽エネルギー
電気通信
軽電気自動車
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TSON-8
1000
OptiMOS™ パワーMOSFET 40Vロジックレベル、PQFN 5x6ソースダウンパッケージ、超低RDS(on)
INFINEON
PG-TTFN-9
1000
OptiMOS™ パワーMOSFET 60 V、PQFN 5x6 mm2ソースダウンパッケージ、業界をリードするRDS(on)
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cy62157g18-55bvxiは、ECCを内蔵した高性能CMOS低消費電力(MoBL) SRAMデバイスで、48-ball VFBGAパッケージを採用しています。Infineon MOBL™は、産業用、通信用、データ処理用、医療用、消費用、軍事用などの様々な用途に対応できる超信頼性非同期SRAMです。スペックで…CY62157G30-45BVXI
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cy62157g30-45zsxは、8Mbの高性能CMOS低消費電力(MoBL) SRAMデバイスで、ECCを内蔵し、44-TSOPパッケージを採用しています。Infineon MOBL™は、産業用、通信用、データ処理用、医療用、消費用、軍事用などの様々な用途に対応できる超信頼性非同期SRAMです。スペックです…CY62157G30-45ZXA
cy62157g30-45zxaは高性能CMOS低消費電力(MoBL) SRAMデバイスで、ECCを内蔵しています。Infineon MOBL™は、産業用、通信用、データ処理用、医療用、消費用、軍事用などの様々な用途に対応できる超信頼性非同期SRAMです。スペックですメモリタイプ:揮発性ですメモリフォー…連絡先電話:86-755-83294757
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