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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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操作

SCT3040KRC14

製品の説明:スルーホールNチャンネル 1200 V 55A (Tc) 262W TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
1300
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KEC11

製品の説明:1200V、62mΩ、3ピンTHD、トレンチ構造、SiC MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ARC14

製品の説明:スルーホールNチャンネル 650 V 39A (Tc) 165W TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3022KLGC11

製品の説明:スルーホールNチャンネル 1200 V 95A (Tc) 427W TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DRHRC15

製品の説明:750V、56A、4ピンTHD、トレンチ構造車載用SiC-MOSFET

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120DUM31CTBL1NG

製品の説明:MOSFETアレイ2 Nチャネル1200V 79A 310Wスタンドマウントです

パッヶージ:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL060N090SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、60 mohm、900 V、M2、TO247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N120SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、40 mohm、1200 V、M1、TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG080N120SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)製MOSFET - EliteSiC、40 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L

パッヶージ:D2PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L022N120M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)製MOSFET - EliteSiC、22 mohm、1200 V、M3S、TO247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL080N120SC1A
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、80 mohm、1200 V、M1、TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L020N090SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、20 mohm、900 V、M2、TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL020N090SC1
ON

製品の説明:貫通孔Nチャネル900 V 118A (t) 503W (t) to-247−3です。

パッヶージ:TO247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L060N090SC1
ON

製品の説明:貫通孔Nチャネル900 V 46A (t) 221W (t) to-247−4Lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL040N120SC1
ON

製品の説明:貫通孔Nチャンネル1200 V 60A (t) 348W (t) to-247-3です

パッヶージ:TO247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L160N120SC1
ON

製品の説明:貫通孔Nチャンネル1200 V 17.3A (t) 111W (t) to-244-4 lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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