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AIプロセッサー・チップ

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操作

HAS310M17BM3

製品の説明:1700V 310A 炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB6R0A23GM4T

製品の説明:2300V 6.0mΩ炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB7R5A23GM4T

製品の説明:2300V 7.5mΩ炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB5R0A23GM4T

製品の説明:2300V 5.0mΩ炭化ケイ素ハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0280090J

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル900 V 11A (t) 50W (t) to-263 -7です。

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 17A (Tc) 97W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120J

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) to-263 -7です。

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0080120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 36A (Tc) 192W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0025120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120K1

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 115A (Tc) 556W (Tc) to-247-4です。

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120K1

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) to-247-4です。

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0015065D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル650 V 120A (t) 416W (t) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065100K

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔N通路1000 V 35A (t) 113.5W (t) to-247-4 lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065090D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル900 V 36A (t) 125W (t) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0045170D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1700 V 72A (Tc) 520W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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