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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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BUK7V4R2-40HX

製品の説明:MOSFET−アレイ40V 98A (Ta) 85W (Ta)表面装着型lfak56d

パッヶージ:LFPAK56D
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7J1R4-40HX

製品の説明:表面貼付型Nチャンネル40 V 120A (Ta) 395W (Ta) LFPAK56;power-so8です

パッヶージ:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7K32-100EX

製品の説明:MOSFET−アレイ100V 29A 64W表面実装型LFPAK56D

パッヶージ:LFPAK56D
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK9M4R3-40HX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40 V 95A (Ta) 90W LFPAK33

パッヶージ:LFPAK33
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7S1R0-40HJ

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40 V 325A (Ta) 375W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)です。

パッヶージ:LFPAK88
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7S2R5-40HJ

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40 V 140A (Ta) 135W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)

パッヶージ:LFPAK88
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7S2R0-40HJ

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40 V 190A (Ta) 183W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)

パッヶージ:LFPAK88
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK9Y1R3-40HX

製品の説明:面装着型Nチャンネル40 V 190A (t) 395W (t) LFPAK56, power-so8

パッヶージ:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK9Y8R5-80EX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル80 V 100A (t) 238W (t) LFPAK56, power-so8です

パッヶージ:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7Y2R0-40HX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40 V 120A (Ta) 217W (Ta) LFPAK56, power-so8

パッヶージ:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7Y1R7-40HX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40 V 120A (Ta) 294W (Tc) LFPAK56, power-so8

パッヶージ:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) to-247−3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 47.2A 187W to-247-3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NEH2000BYJ

製品の説明:エネルギーハーベスティングPMIC 16-HWQFN(3x3)

パッヶージ:HWQFN-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ

パッヶージ:DFN8080-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650FBEZ

製品の説明:650 V、190 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 5 mm x 6 mmパッケージ

パッヶージ:DFN5060-5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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