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東芝MOS管 SSM3K35CTC 表面実装型Nチャンネル 20V 250mA

東芝MOS管 SSM3K35CTC 表面実装型Nチャンネル 20V 250mA

ソース:このサイト時間:2022-12-05ブラウズ数:

明佳達電子供給は在庫の東芝MOSの管SSM3K35CTCの表面の台紙のタイプNチャネル20 V 250mA、新しくおよび元、私達を呼ぶ歓迎する!

明佳達電子供給は在庫の東芝MOSの管SSM3K35CTCの表面の台紙のタイプNチャネル20 V 250mA、新しくおよび元、私達を呼ぶ歓迎する!


メーカー:Toshiba Semiconductor and Storage

製品型番:SSM3K35CTC

年:1815+

内容:表面実装型Nch 20V 250mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C


仕様

FETタイプ Nチャンネル  

技術 MOSFET(金属酸化物)  

ドレインソース電圧 (Vdss) 20 V  

電流 at 25°C - 連続ドレイン電流 (Id) 250mA (Ta)  

駆動電圧 (max Rds On, min Rds On) 1.2 V, 4.5 V  

異なるId, Vgsにおけるオン抵抗(最大) 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V  

異なるIdにおけるVgs(th) (最大) 1V @ 100µA  

異なる Vgs におけるゲート電荷 (Qg) (最大) 0.34 nC @ 4.5 V  

Vgs (max) ±10V  

異なるVdsにおける入力容量(Ciss)(最大) 36 pF @ 10 V  

FET機能  

許容損失(最大) 500 mW (Ta)  

動作温度 150℃(TJ)  

実装方式 表面実装方式  

サプライヤー デバイスパッケージ CST3C  

パッケージ/ハウジング SC-101, SOT-883 

SSM3K35CTC.jpg

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