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深圳市明佳達電子有限会社
モデル

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

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製品分類

集積回路（IC）

イーサネット RFサンプリング・トランシーバー ロジック・レベル・コンバーター インターフェースIC - マルチレートリタイマー SASエキスパンダー パワー・アンプ・モジュール クロック/タイミング,発振器 時計/タイミング - ナノタイマー デジタルクロスポイントスイッチ 超音波トランシーバー クロック/タイミング - ディレイ・ライン カードリーダーコントローラー ロジック - ゲートとインバータ トランスミッタ 絶縁コンパレータ 高速コンパレータ インターフェイス - マルチレートタイマー USBコントローラー CCDシグナルプロセッサ 測光フロントエンド アイソレーション・アンプ デジタル・ディスプレイ・コントローラー デジタルコントローラー オーディオプロセッサー

IoT/IGBT モジュール

2Gモジュール 4Gモジュール 5Gモジュール IoTモジュール 新エネルギーモジュール 車両グレードのモジュール スマートモジュール メモリモジュール セルラーIoTモジュール 衛星通信モジュール GNSSモジュール LPWAモジュール IoTチップ 無線通信モジュール

フィルター

2.4GHzWi-Fiバンドパスフィルタ アクティブフィルタ RFフィルター ハイパスフィルター 5GHz Wi-Fi バンドパスフィルター 6GHz Wi-Fiバンドパスフィルター

ワイヤレス接続

Wi-Fi 6 ブルートゥースIC Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 超広帯域UWB IC GNSS受信機 Wi-Fi 4 WiFiモジュール 低消費電力のBluetooth Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 ワイヤレスNICチップ Bluetoothモジュール WiFiワイヤレスモジュール BluetoothオーディオSoc

回路保護

サージ抑製IC ESDサプレッサ/TVSダイオード 放電管 - GDT / ガスプラズマアレスタ TVS - 混合技術

ディスクリート半導体

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル ラジオ週波数トランジスタ パワーMOSFETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FET PチャネルMOSFET トランジスタ - RF FET、MOSFET MOSFETモジュール サイリスター ダイオード・アレイ・モジュール MOSFETトランジスター NチャンネルMOSFET IGBTトランジスタ ダイオードと整流器 ショットキーダイオード、整流器 シングルツェナーダイオード バイポーラトランジスタアレイ パワードライバモジュール ダイオード - 整流器 - シングル トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ トランジスタ - IGBT - モジュール トランジスタ - UGBT、MOSFET - シングル

電源管理

窒化ガリウム（GaN）IC リニアレギュレータLDO AC-DCコントローラとレギュレータ DC-DC電源製品 電圧基準 バッテリ管理 PoweroverEthernet（PoE）コントローラ

コネクタ

丸型コネクター 自動車用コネクター カードエッジコネクター 基板対基板、メザニンコネクター FFC、FPC（フラットフレックス）コネクター バックプレーンコネクター 角型コネクター 同軸コネクタ（RF） 長方形コネクタ - アレイ、エッジタイプ、メザニン（基板間）

センサー

バイオメトリック・センサ 速度センサー 湿度センサー ホール効菓電流センサ 超音波センサ 光センサー - 環境光、赤外線、紫外線センサー 光センサー、フォトダイオード 湿度、水分センサー 光学検出器とセンサー-赤外線検出器 基板実装温度センサー 光センサー - 環境光 ガスセンサー ポジションセンサー 産業用ミリ波レーダー・センサ 車載用ミリ波レーダーセンサー イメージセンサーです レーダーセンサーです モーションセンサージャイロスコープです 超音波受信機、送信機(距離測定用のものです。) 光センサー - 反射型 - ロジック出力 センサーモジュールです あつりょくセンサ 電流センサー 静電容量式タッチセンサー

メモリー

NORフラッシュメモリー 不揮発性メモリ ランダムアクセスメモリRAM 静的ランダムアクセスメモリSRAM 同期ダイナミックランダムアクセスメモリSDRAM ソリッド・ステート・ドライブ - SSD 標準シリアルEEPROM 車載グレードのシリアルEEPROM eMMC 擬似スタティックランダムアクセスメモリ（PSRAM） 消去可能なプログラマブルROM NANDフラッシュ ユニバーサル フラッシュ ストレージ - UFS ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM メモリ-モジュール

組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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Samsung Electronicsは、2023年以降、DDR3メモリの新規注文を受け付けなくなります。

Samsung Electronicsは、2023年以降、DDR3メモリの新規注文を受け付けなくなります。

ソース:本站時間:2022-04-01ブラウズ数:

業界筋によると、Samsung Electronicsは、同社が2023年から新しいDDR3注文を受け付けなくなり、2023年末までにすべての注文の配送を完了することを顧客に通知しました。Interstellar Jinhua Co.、Ltd.は、昨年11月のレポートから、4GbDDR3メモリの最大のサプライヤである…

業界筋によると、Samsung Electronicsは、同社が2023年から新しいDDR3注文を受け付けなくなり、2023年末までにすべての注文の配送を完了することを顧客に通知しました。


Interstellar Jinhua Co.、Ltd.は、昨年11月のレポートから、4GbDDR3メモリの最大のサプライヤであるSamsungElectronicsが、低密度DRAMメモリの生産能力への投資をやめ、より収益性の高いCIS生産に注力することを決定したことを知りました。 。


別の情報筋によると、DDR3メモリを製造できるサプライヤが少なくなると、今年はメモリ価格を維持するのに役立ちます。 そして2022年の後半まで、DDR3メモリのグローバルな供給は引き続き制限されます。


市場のオブザーバーによると、DDR3の契約価格は、主流のDDR4メモリの価格がさらに下落するのとは対照的に、第2四半期に1桁台前半の上昇を記録します。


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