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明佳達供給 Renesas F1421NLGK8 RFアンプ RFミキサー 0.35 UM SIGE BIC MOS

明佳達供給 Renesas F1421NLGK8 RFアンプ RFミキサー 0.35 UM SIGE BIC MOS

ソース:このサイト時間:2024-11-08ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社元の点の供給のルネサス F1421NLGK8 RF のアンプ RF のミキサー 0.35 UM SIGE BIC MOS説明F1421NLGK8は、高性能RFアプリケーション向けの高ゲイン/高直線性RFアンプです。F1421NLGK8のゲインは20.3dB、OIP3は+40dBm、雑音指数は1.9GHzで5.5dBです…

深圳市明佳達電子有限会社元の点の供給のルネサス F1421NLGK8 RF のアンプ RF のミキサー 0.35 UM SIGE BIC MOS


説明

F1421NLGK8は、高性能RFアプリケーション向けの高ゲイン/高直線性RFアンプです。F1421NLGK8のゲインは20.3dB、OIP3は+40dBm、雑音指数は1.9GHzで5.5dBです。


一般的な基地局では、RFアンプは信号レベルを上げるためにRXおよびTX通信経路で使用されます。F1421NLGK8アンプはQFNパッケージに収められ、シリコンチップを使用して製造されているため、非常に信頼性が高くなっています。


代表的なアプリケーション

 マルチモード、マルチキャリア送信機

 PCS1900基地局

 DCS1800基地局

 WiMAXおよびLTE基地局

 UMTS/WCDMA 3G 基地局

 PHS/PAS 基地局

 公共安全インフラ


特徴

 広帯域 1.7GHz~2.2GHz

 1.9GHzで20.3dBの標準利得

 1.9GHzでの雑音指数5.5dB

 +40dBm OIP3(1.9GHz時

 +23dBm出力P1dB(1.9GHz時

 シングル5V電源電圧

 ICC = 138mA

 -40°C ~ +105°C 動作温度

 50Ωシングルエンド入出力インピーダンス

 スタンバイ・モードによる省電力

 4mm×4mm、24ピンQFNパッケージ


図1 F1421NLGK8 RFアンプ・ブロック図

image.png


図2 F1421NLGK8 QFNパッケージのピン配置 - トップビュー

image.png


F1421NLGK8 RFアンプの製品仕様については、カスタマーサービス+86 13410018555(Wechat同期)またはEメール sales@hkmjd.com までお問い合わせください。


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