深圳市明佳達電子有限会社元の点の供給のルネサス F1421NLGK8 RF のアンプ RF のミキサー 0.35 UM SIGE BIC MOS説明F1421NLGK8は、高性能RFアプリケーション向けの高ゲイン/高直線性RFアンプです。F1421NLGK8のゲインは20.3dB、OIP3は+40dBm、雑音指数は1.9GHzで5.5dBです…
深圳市明佳達電子有限会社元の点の供給のルネサス F1421NLGK8 RF のアンプ RF のミキサー 0.35 UM SIGE BIC MOS
説明
F1421NLGK8は、高性能RFアプリケーション向けの高ゲイン/高直線性RFアンプです。F1421NLGK8のゲインは20.3dB、OIP3は+40dBm、雑音指数は1.9GHzで5.5dBです。
一般的な基地局では、RFアンプは信号レベルを上げるためにRXおよびTX通信経路で使用されます。F1421NLGK8アンプはQFNパッケージに収められ、シリコンチップを使用して製造されているため、非常に信頼性が高くなっています。
代表的なアプリケーション
マルチモード、マルチキャリア送信機
PCS1900基地局
DCS1800基地局
WiMAXおよびLTE基地局
UMTS/WCDMA 3G 基地局
PHS/PAS 基地局
公共安全インフラ
特徴
広帯域 1.7GHz~2.2GHz
1.9GHzで20.3dBの標準利得
1.9GHzでの雑音指数5.5dB
+40dBm OIP3(1.9GHz時
+23dBm出力P1dB(1.9GHz時
シングル5V電源電圧
ICC = 138mA
-40°C ~ +105°C 動作温度
50Ωシングルエンド入出力インピーダンス
スタンバイ・モードによる省電力
4mm×4mm、24ピンQFNパッケージ
図1 F1421NLGK8 RFアンプ・ブロック図
図2 F1421NLGK8 QFNパッケージのピン配置 - トップビュー
F1421NLGK8 RFアンプの製品仕様については、カスタマーサービス+86 13410018555(Wechat同期)またはEメール sales@hkmjd.com までお問い合わせください。
会社ウェブサイト:www.hkmjd.com
時間:2025-05-10
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