深圳市明佳達電子会社供給トランジスタ NTMFS4C09NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH, 純正のみ、大型工場在庫あり、必要な方はお問い合わせください!
深圳市明佳達電子会社供給トランジスタ NTMFS4C09NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH, 純正のみ、大型工場在庫あり、必要な方はお問い合わせください!
メーカー：onsemi
製品型番：NTMFS4C09NT1G
内容：MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
詳細：表面実装型Nch 30V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
製品属性
製品タイプ: MOSFET
技術：Si
実装形態：SMD/SMT
パッケージ/ケース：SO-8FL-4
トランジスタの極性：Nチャンネル
チャンネル数：1チャンネル
Vds - ドレイン・ソース降伏電圧: 30 V
Id ドレイン連続電流：52 A
Rds On - ドレイン・ソース間オン抵抗: 4.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
Vgs th - ゲートソースしきい値電圧：2.2 V
Qg - ゲート電荷量: 22.2 nC
最低動作温度： - 55 C
最高使用温度：+ 150 C
Pd - 許容損失: 25.5 W
チャンネルモード：エンハンスメント
構成：シングル
立ち下がり時間：6ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小値：50 S
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間：32ns
シリーズ: NTMFS4C09N
工場出荷時パック数量：1500個
サブカテゴリ：MOSFET
トランジスタの種類: 1 Nチャンネル
標準オフディレイ時間：16ns
標準的なターンオン遅延時間：10 ns
単位重量：750mg
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
会社の住所：広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239～1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク:
最新情報
