深圳市明佳達電子有限会社は、専門の電子部品販売業者として、現在(ADI)の高性能RFスイッチHMC849ALP4CETRを供給しています。このSPDT（単刀双掷）非反射型RFスイッチは、先進のGaAs（ガリウムヒ素）プロセスで製造され、超広帯域、高隔離度、低挿入損失などの優れた特性…
深圳市明佳達電子有限会社は、専門の電子部品販売業者として、現在(ADI)の高性能RFスイッチHMC849ALP4CETRを供給しています。このSPDT（単刀双掷）非反射型RFスイッチは、先進のGaAs（ガリウムヒ素）プロセスで製造され、超広帯域、高隔離度、低挿入損失などの優れた特性を備え、高周波通信やテスト機器分野で広く採用されています。
製品の特徴
HMC849ALP4CETR RFスイッチは、ADIの高周波スイッチ技術における最先端を象徴する製品です。その主な技術的優位性は以下の通りです：
超広帯域動作：DC～14GHzの広範な周波数範囲をサポートし、多様な高周波アプリケーションのニーズに対応
卓越した信号隔離：6GHz周波数において最大50dBの隔離度を提供し、信号のクロストークを効果的に低減
極低挿入損失：6GHzで0.7dBの挿入損失を実現し、信号の完全性を最大限に保持
高速スイッチング能力：25nsのスイッチング時間により、高速信号ルーティングをサポート1
非反射設計：50Ωのインピーダンスマッチングを実現し、VSWR（反射比）が1.3:1未満で信号の反射を低減
高出力処理能力：+30dBmの入力電力（1dB圧縮点）に対応し、高出力アプリケーションに最適
産業用レベルの信頼性：動作温度範囲-40°C～+85°C、過酷な環境要件に適合
HMC849ALP4CETR 技術仕様
周波数範囲：DC～6GHz
アイソレーション：典型値48dB（2.0～4.0GHz）
挿入損失：典型値0.9dB（DC～2.0GHz）
反射損失：典型値 17dB（DC～4.0GHz）
1dB圧縮点入力電力：24dBm（+3V、0.35～6.0GHz）
切り替え速度：典型値 60ns（10/90% RF、DC～6.0GHz）
動作温度範囲：-40°C～+85°C
HMC849ALP4CETR の応用分野
セルラー/WiMAX/4G インフラストラクチャ：無線基地局および通信機器用。
自動車電子機器：自動車のテレマティクスシステム用。
移動無線：専門の移動無線システム用。
テスト機器：RFテストおよび測定機器用。
製品パッケージ
HMC849ALP4CETRはコンパクトな16ピンQFNパッケージ（4×4mm）を採用し、高密度表面実装アプリケーションに適しています。
明佳達電子の供給優位性
在庫豊富：在庫が十分で、顧客の緊急調達ニーズに対応可能です。
品質保証：すべての製品は新品の純正製品であり、性能と信頼性を保証します。
迅速な納品：納期は短く、通常3～5営業日です。
製品の詳細や見積もりのご要望は、お気軽に当社の営業チームまでお問い合わせください。
連絡先電話：86-755-83294757
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