STMicroelectronics パワーMOSFET STW58N60DM2AG 製品紹介：STW58N60DM2AG は、STMicroelectronics の MDmesh™ DM2 シリーズに属する自動車用 N チャネル パワーMOSFET です。このデバイスは 600V の耐圧能力と 50A の連続ドレイン電流を備え、TO-247 パッケージを採用し…
STMicroelectronics パワーMOSFET STW58N60DM2AG 製品紹介：
STW58N60DM2AG は、STMicroelectronics の MDmesh™ DM2 シリーズに属する自動車用 N チャネル パワーMOSFET です。このデバイスは 600V の耐圧能力と 50A の連続ドレイン電流を備え、TO-247 パッケージを採用しています。自動車アプリケーション向けに設計されており、AEC-Q101 規格に準拠しています。
製品特性
高耐圧と大電流：600V 耐圧、50A 連続ドレイン電流
低導通抵抗：典型値0.052Ωで、消費電力の低減とシステム効率の向上に貢献
高速回復ボディダイオード：低回復電荷（Qrr）と時間（trr）を備え、高効率コンバーターに最適
高スイッチング効率：極低ゲート電荷と入力容量により、高速スイッチングを実現
高信頼性：100% アブソリュートテスト
極めて高いdv/dt耐性
ツェナー保護
動作温度範囲：-55°Cから+150°C
製品仕様
メーカー: STMicroelectronics
製品種類: MOSFET
技術: Si
取り付け方式: Through Hole
パッケージ/ケース: TO-247-3
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間 breakdown 電圧: 600 V
Id-連続ドレイン電流: 50 A
Rds On-ドレイン・ソース間オン抵抗: 60 mΩ
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -25 V, +25 V
Vgs th-ゲート-ソース極しきい値電圧: 4 V
Qg-ゲート電荷: 90 nC
最小動作温度: - 55 °C
最大動作温度: + 150 °C
Pd-電力消費: 360 W
チャネルモード: エンハンスメント
資格: AEC-Q101
応用分野
STW58N60DM2AG は、高効率コンバーターおよび自動車電子機器の多様なアプリケーションに適用可能です。具体的には：
電気自動車：モーター駆動と電源管理システムに使用されます。
高効率コンバーター：ブリッジトポロジーや ZVS 相位シフトコンバーターなど。
自動車電子機器：AEC-Q101規格に準拠し、自動車用アプリケーションに適しています。
明佳達電子で在庫あり
深圳市明佳達電子有限会社では、STW58N60DM2AGの在庫を保有しています。ご購入または詳細情報をご希望の場合は、明佳達電子の公式ウェブサイト（www.hkmjd.com）をご訪問ください。
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電話：+86 13410018555（陳氏）
メール：chen13410018555@163.com / sales@hkmjd.com
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