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供給 ON MOSFET製品:低電圧/中電圧/高電圧MOSFET、小信号MOSFET

供給 ON MOSFET製品:低電圧/中電圧/高電圧MOSFET、小信号MOSFET

ソース:このサイト時間:2025-07-12ブラウズ数:

供給 ON MOSFET製品:低電圧/中電圧/高電圧MOSFET、小信号MOSFET深圳市明佳達電子有限公司は、世界有数の電子部品販売代理店として、「顧客サービスと顧客の利益を最優先」を理念に、強力なサプライチェーンネットワークと専門的な技術サービスを活用し、顧客に多様な電子…

供給 ON MOSFET製品:低電圧/中電圧/高電圧MOSFET、小信号MOSFET


深圳市明佳達電子有限公司は、世界有数の電子部品販売代理店として、「顧客サービスと顧客の利益を最優先」を理念に、強力なサプライチェーンネットワークと専門的な技術サービスを活用し、顧客に多様な電子部品製品のソリューションを提供しています。


主要製品には、5Gチップ、新エネルギーIC、IoT IC、Bluetooth IC、車載用IC、車載規格IC、通信IC、人工知能ICなどが含まれます。さらに、メモリIC、センサーIC、マイクロコントローラーIC、トランシーバーIC、イーサネットIC、Wi-Fiチップ、無線通信モジュール、コネクタなどの電子部品も供給しています。


供給の優位性:まず、同社は200万種類を超える在庫品目を保有し、軍事用グレード、産業用グレード、各種ハイテク部品を網羅し、顧客のR&Dから量産までの各段階のニーズに迅速に対応可能です。次に、供給するすべての製品はメーカー直営または正規代理店経由で調達され、バッチ追跡と品質保証サービスを提供し、製品の信頼性と一貫性を確保しています。第三に、深圳と香港の二重倉庫体制とグローバルな物流パートナーネットワークを活用し、98%の注文を48時間以内に発送可能で、1点からの柔軟な調達モードをサポートしています。


ON MOSFET製品ラインは幅広くカバーしており、以下の通りです:

低電圧MOSFET(40V-100V):携帯機器、DC-DC変換など低消費電力アプリケーション向け

中電圧MOSFET(150V-500V):産業用電源、自動車電子機器などの中等電力シーン向け

高電圧MOSFET(600V-900V):太陽光発電インバーター、モーター駆動など高電力需要向け

小信号MOSFET:増幅、スイッチングなど精密電子回路向け


低電圧MOSFET(40V-100V)製品の詳細説明

低電圧MOSFET製品ラインは40Vから100Vの電圧範囲をカバーし、これらのデバイスは優れたスイッチング性能と低導通抵抗特性により、携帯型電子機器、DC-DCコンバーター、低電圧電源管理などへの理想的な選択となっています。低電圧MOSFETはシステム効率の向上と小型化に重要な役割を果たし、特に消費電力とスペース要件が厳しい現代の電子機器に最適です。


技術的特徴と性能上の優位性:

超低導通抵抗:先進の溝型ゲート技術を採用し、RDS(on)は数ミリオームまで低減可能で、伝導損失を大幅に削減

高速スイッチング特性:最適化されたゲート設計によりナノ秒級のスイッチング速度を実現し、スイッチング損失を低減

高電力密度:チップレベルパッケージまたはコンパクトパッケージのオプションにより、PCBスペースを節約

優れた熱性能:改良されたパッケージ技術により放熱能力を強化し、信頼性を向上

低ゲート電荷(Qg):駆動電力の要件を低減し、駆動回路設計を簡素化


低電圧MOSFET製品は、伝統的な平面プロセスと先進的なトレンチ技術を含む多様なプロセス技術を採用し、異なるアプリケーションシーン向けに最適化されたソリューションを提供します。そのうち、スーパージャンクション(Super Junction)技術を採用したMOSFETモジュールは、40Vから80Vの範囲で業界トップクラスの性能指標を実現し、自動車モーター駆動や車載充電器アプリケーションに特に適しています。これらのデバイスは40V、60V、80Vなど複数の電圧グレードを提供し、標準の単管パッケージに加え、6パックや全橋/半橋トポロジーのモジュール化ソリューションも用意され、異なるシステムアーキテクチャの要件に対応します。


典型的な応用シーン:

携帯電子機器:スマートフォン、タブレットなどバッテリー駆動機器の電源管理

DC-DCコンバーター:buck、boost、buck-boostトポロジーにおける主スイッチングデバイス

自動車電子システム:電動窓、シート調整など車体制御モジュール

コンピュータ周辺機器:USB電源スイッチ、ホットプラグ保護回路

LED駆動回路:高効率定電流駆動ソリューションの核心スイッチング要素


中電圧MOSFET(150V-500V)製品と応用

中電圧MOSFET製品ラインは150Vから500Vの電圧範囲をカバーし、低電圧デバイスと高電圧モジュール間の重要な性能ギャップを埋めています。これらのMOSFETは、産業用電源、自動車電子機器、通信機器などの中等電力アプリケーションにおいて核心的な役割を果たし、性能、効率、コストの3つの主要因をバランスよく両立させ、多くの電子システム設計において不可欠な構成要素となっています。


主要な応用分野の分析:

産業用電源システム:スイッチングモード電源(SMPS)、無停電電源装置(UPS)におけるPFC(力率改善)とDC-DC変換段

自動車の電気化応用:電動パワーステアリング(EPS)、48Vマイルドハイブリッドシステムの電源変換

通信インフラ:基地局電源、サーバー電源における高効率変換回路

家庭用家電:インバーター式エアコン、洗濯機ドライブのインバーター部分

再生可能エネルギー:小型太陽光インバーターの初級変換段階


高電圧MOSFET(600V-900V)とパワーモジュールソリューション

高電圧MOSFET製品ラインは600Vから900Vの電圧範囲をカバーし、これらのデバイスは高出力電子システムの核心部品として、過酷な産業環境と高効率変換要件に対応するように設計されています。太陽光発電インバーター、産業用モーター駆動、電気自動車充電スタンドなどの高電圧アプリケーションにおいて、高電圧MOSFETの性能はシステムの効率、信頼性、コスト効率を直接決定します。


技術アーキテクチャと性能優位性:

ONの高圧MOSFETは多層エピタキシャル超結技術を採用し、掺雑プロファイルの精密制御とユニット構造の最適化により、高遮断電圧を維持しつつ導通抵抗を大幅に低減しています。従来の平面MOSFETと比較して、この設計によりRDS(on)が1桁以上低減され、伝導損失が大幅に削減されます。例えば、ONの900V超接合MOSFETは、同じチップ面積において、従来のデバイスと比較して導通損失を50%以上削減できます。高圧MOSFETはさらに先進的なゲート設計を採用し、ゲート電荷(Qg)とミラー容量(Crss)を最適化することで、より高速なスイッチング速度と低いスイッチング損失を実現し、特に高周波スイッチングアプリケーションに最適です。


主要な応用分野と設計上の考慮点:

太陽光発電インバーター:太陽光発電システムのDC-AC変換の核心デバイスで、高効率と長寿命が要求されます

産業用モータードライブ:インバーターやサーボドライブにおけるパワースイッチング要素で、高周波スイッチングと誘導負荷に耐える必要があります

電気自動車インフラ:充電スタンドのAC-DCおよびDC-DC変換段で、高電力密度への対応が課題です

溶接装置:インバーター溶接機の高周波スイッチング部品で、高信頼性と高い耐障害性が要求されます

高電圧DC-DC変換:データセンター電源と通信電源のバス変換段


小信号MOSFET製品と技術的特徴

小信号MOSFET製品は、大電力MOSFETに比べ電力処理能力は劣りますが、精密電子回路において不可欠な役割を果たします。これらのデバイスは主に低電流・低電圧のスイッチングと増幅アプリケーション向けに設計されており、優れた高周波特性と高入力インピーダンスにより、アナログスイッチ、信号調整、負荷切り替えなどのアプリケーションに最適な選択となっています。小信号MOSFETは、小型化パッケージと低消費電力特性により、現代の電子機器において広範かつ深く浸透した応用を実現しています。


基本構造と動作原理:

小信号MOSFETとパワーMOSFETは基本構造が類似しており、ソース(Source)、ドレイン(Drain)、ゲート(Gate)の3つの端子を備えていますが、設計の重点は根本的に異なります。小信号MOSFETは高周波応答と線形領域特性を最適化しており、大電流処理能力ではなく、高周波特性と低入力インピーダンスを重視しています。チャネルタイプにより、NチャネルとPチャネルの2種類に分類され、動作モードにより、エンハンスメント型とデプレッション型に分類されます。ON Semiconductorの小信号MOSFET製品ラインは、これらのすべてのタイプをカバーし、設計エンジニアに幅広い選択肢を提供しています。これらのデバイスは通常、平面プロセスで製造され、ゲート酸化層は信頼性を確保しつつ、高いクロスコンダクタンス(gfs)と低いゲート電荷(Qg)を実現するように精心設計されています。


主要な性能パラメーターの解説:

しきい値電圧(Vgs(th)):通常0.5~3Vで、低電圧回路の直接駆動に適しています

クロスコンダクタンス(gfs):ゲート電圧がドレイン電流を制御する能力を示し、値が大きいほど利得が大きくなります

入力容量(Ciss):スイッチング速度に影響し、小信号MOSFETは通常極めて低い入力容量を有します

オン抵抗(RDS(on)):パワーMOSFETほど重要ではありませんが、信号経路の損失に影響します

ドレイン・ソース間 breakdown 電圧(BVdss):小信号モデルは通常20V~100Vで、ほとんどの信号処理要件を満たします


典型的な応用シーンの分析:

アナログスイッチとマルチプレクサー:オーディオ信号のルーティング、データ収集システムのチャネル切り替え

高周波増幅回路:RFフロントエンド、通信機器の低ノイズアンプ(LNA)

負荷スイッチと電源管理:サブシステムの電源の制御された接続/切断

信号調整回路:センサーインターフェースの信号調整とインピーダンス変換

デジタルロジックインターフェース:レベル変換とバス駆動


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