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レネサス パワーディスクリート部品の供給:GaN パワーディスクリート部品、パワーMOSFET

レネサス パワーディスクリート部品の供給:GaN パワーディスクリート部品、パワーMOSFET

ソース:このサイト時間:2025-06-20ブラウズ数:

レネサス パワーディスクリート部品の供給:GaN パワーディスクリート部品、パワーMOSFET深セン明佳達電子有限公司は、電子部品業界の主要なサプライヤーとして、豊富な業界経験とグローバルなサプライチェーンリソースを活用し、世界中の顧客に高品質な電子部品の供給サ…

レネサス パワーディスクリート部品の供給:GaN パワーディスクリート部品、パワーMOSFET


深セン明佳達電子有限公司は、電子部品業界の主要なサプライヤーとして、豊富な業界経験とグローバルなサプライチェーンリソースを活用し、世界中の顧客に高品質な電子部品の供給サービスを提供しています。


主要製品には、5Gチップ、新エネルギーIC、IoT IC、Bluetooth IC、車載ネットワークIC、自動車用グレードIC、通信IC、人工知能IC、メモリIC、センサーIC、マイクロコントローラーIC、トランシーバーIC、イーサネットIC、Wi-Fiチップ、無線通信モジュール、コネクタ、その他の電子部品が含まれます。


供給の優位性:

品質保証:すべてのモデルはオリジナルメーカーまたは正規代理店から調達され、オリジナルメーカーの認証書と品質追跡サービスが提供されます。

柔軟な調達:小ロットのサンプル調達から大量注文まで対応し、競争力のある価格戦略を提供します。

迅速な配送:深セン本社とグローバル物流ネットワークを活用し、迅速な注文対応と適切な配送を保証します。


Renesasのパワーディスクリートデバイスは、インフラ、自動車、産業市場における中電力から高電力アプリケーションに焦点を当てています。


GaNパワーディスクリート

高スイッチング周波数と高密度アプリケーション向けのガリウムナイトライド(GaN)FET


Renesasは、25Wから10kWまでの幅広いアプリケーションにおいて、信頼性が高く高性能なソリューションを提供するパワーGaN HEMTの先駆者です。2000万個を超える高出力・低出力デバイスを出荷し、当社の製品は合計で3000億時間以上の現場運用実績を積み重ねています。これらの成果は、GaNの固有の性能メリットを最大限に活用する、独自で根本的に優越したアーキテクチャによって実現されています。


パワーMOSFET

低オン抵抗、高速スイッチング、高耐久性を実現するMOSFET


ルネサスのパワーMOSFETは、システムの小型化と高効率化を支援します。インバーターやコンバーターなどの電力変換アプリケーションや、負荷スイッチング用途に最適で、高い耐久性を実現しています。さらに、ルネサスは新たな12インチラインの設立により生産能力の拡大に努め、安定した供給を目指しています。


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