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IXYS IXFX230N20T Nチャネル強化型パワーMOSFETトランジスタ

深セン明佳達電子有限公司は、電子部品業界の主要なサプライヤーとして、顧客にIXYS IXFX230N20T Nチャネル強化型パワーMOSFETトランジスタを提供しています。IXFX230N20Tは、優れた性能パラメーターと幅広い応用範囲を特徴とし、電力管理システムおよび電力変換システムにおける重要なコンポーネントとして定着しています。

IXFX230N20Tの製品概要:

IXFX230N20Tは、高電流・高電圧アプリケーション向けに最適化されたNチャネルエンハンスメントモード構造設計を採用した高性能パワーMOSFETです。このIXFX230N20Tデバイスは、TO-247-3パッケージ内に堅牢な電力処理能力を統合しており、産業用電源装置、モータードライブ、エネルギー変換システムなどに最適な選択です。

IXFX230N20Tの仕様:

トランジスタ極性: Nチャネル

チャネル数: 1チャネル

Vds - ドレイン-ソース breakdown 電圧: 200 V

Id - 連続ドレイン電流: 230 A

Rds On - ドレイン-ソース抵抗: 7.5 mΩ

Vgs - ゲート-ソース電圧: -20 V, +20 V

Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 3 V

Qg - ゲート電荷: 358 nC

最低動作温度: -55°C

最高動作温度: +175°C

Pd - 電力消費量: 1.67 kW

チャネルモード: エンハンスメントモード

単位重量: 6 g

IXFX230N20Tの特長:

国際標準パッケージ

高電流処理能力

高速内部ダイオード

アバランシェ定格

低RDS(on)

IXFX230N20Tの主要な技術的特長:

超大電流対応能力: 連続ドレイン電流 (Id) はケース温度 Tc において最大 230A まで対応可能で、高出力アプリケーションの要件を満たします

優れたオン状態特性: ドレイン-ソースオン抵抗 (Rds(on)) は最小 7.5mΩで、オン状態損失を大幅に削減し、システム効率を向上させます

堅牢な電圧仕様: ドレイン-ソース間 breakdown 電圧 (Vds) 200V およびゲート-ソース間電圧 (Vgs) 範囲 ±20V により、広範な安全動作領域を提供

優れた熱性能: 電力消費量 (Pd) 最大 1.67kW (Tc 条件下)、-55°C から +175°C の広範な温度範囲での動作環境をサポート

IXFX230N20Tは、IXYSの独自技術プラットフォームであるHiPerFETを採用し、デバイス構造と材料特性を最適化することで、スイッチング速度、オン抵抗、熱安定性の最適なバランスを実現しています。ゲート電荷（Qg）358nCにより高速なスイッチング移行を実現し、ゲート・ソースしきい値電圧（Vgs th）3Vにより優れた制御感度を提供します。

IXFX230N20Tの応用分野:

IXFX230N20TパワーMOSFETは、優れた電気的特性を備え、複数の産業分野で幅広い応用可能性を示しています:

産業用電源システム:

高出力スイッチング電源（SMPS）設計、特にサーバー電源や通信基地局電源向け

無停電電源装置（UPS）システムにおけるインバーターと整流モジュール

高トルクアプリケーションに対応する産業用モータードライブコントローラー

溶接機器やプラズマカッターの出力ステージ

新エネルギーとエネルギー変換:

太陽光インバーターにおけるDC-AC変換回路

風力発電システムにおける電力調整ユニット

バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）におけるエネルギー管理モジュール

電気自動車充電ステーションの電力変換ステージ

その他の高性能アプリケーション：

オーディオアンプの出力ステージ（特にプロフェッショナル向け高出力アンプ）

誘導加熱装置の共振回路

パルス電力システムにおける高速スイッチングアプリケーション

テスト・測定機器の高電流負荷スイッチ

IXFX230N20Tの設計上の利点：

高効率：低オン抵抗と最適化されたスイッチング特性によりエネルギー損失を低減し、全体的なシステム効率を向上

高信頼性：TO-247-3パッケージは優れた熱性能を提供し、広範な動作温度範囲と組み合わせることで、過酷な環境下でも安定した動作を保証

設計の柔軟性：±20Vの広範なゲート駆動電圧範囲によりドライバー回路設計が簡素化され、さまざまなコントローラー出力と互換性があります