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ADIスイッチングチップ HMC8038LP4CETR:高絶縁度SPDT RFスイッチ、0.8dBの超低挿入損失

ADIスイッチングチップ HMC8038LP4CETR:高絶縁度SPDT RFスイッチ、0.8dBの超低挿入損失

ソース:このサイト時間:2025-06-18ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社は、専門の電子部品サプライヤーとして、現在、ADI HMC8038LP4CETR スイッチチップの純正在庫品を販売しております。HMC8038LP4CETR 製品概要 ADI HMC8038LP4CETR は、高隔離度、非反射型、単刀双投(SPDT)RFスイッチチップで、16-LFCSP(44mm…

深圳市明佳達電子有限会社は、専門の電子部品サプライヤーとして、現在、ADI HMC8038LP4CETR スイッチチップの純正在庫品を販売しております。


HMC8038LP4CETR 製品概要  

ADI HMC8038LP4CETR は、高隔離度、非反射型、単刀双投(SPDT)RFスイッチチップで、16-LFCSP(4×4mm)パッケージを採用し、動作周波数範囲は0.1 GHzから6.0 GHzです。このチップは、セルラー通信、無線インフラストラクチャ、 自動車テレマティクスシステムなど、高周波信号の切り替えシーンに最適で、低挿入損失、高線形性、高速切り替えなどの利点を提供します。


HMC8038LP4CETR 主要な特性  

高アイソレーション:60 dB @ 4.0 GHz(典型値)、信号のクロストークを25%削減。

低挿入損失:0.8 dB @ 6.0 GHz、信号伝送効率を15%向上。

高出力処理能力:34 dBm(パス経由)、29 dBm(終端パス)、大出力アプリケーションに適しています。

高速切り替え時間:150 ns(スイッチング時間)、170 ns(RF確立時間)、システム応答速度を向上させます。

広範囲の電源電圧:3.3V~5V、1.8V/3.3V/5Vロジック制御と互換性があります。

ESD保護:4 kV HBM(人体モデル)、1.25 kV CDM(充電器モデル)、信頼性を向上。


技術仕様  

製品型番:HMC8038LP4CETR  

周波数範囲:0.1 GHz ~ 6.0 GHz  

隔離度:60 dB @ 4.0 GHz  

挿入損失:0.8 dB @ 6.0 GHz

入力P1dB:36 dBm  

IIP3(三階交調截点):60 dBm  

動作電圧:3.3V ~ 5V  

制御電圧:0V ~ 1.8V/3.3V/5.0V  

パッケージ:16-LFCSP(4×4mm)  

動作温度:-40°C ~ +105°C  


応用分野

セルラー/4G/5G基地局(アンテナ切り替え、送受信経路選択)  

自動車テレマティクス(車載通信モジュール)  

テスト・測定機器(信号ルーティング、スペクトラム分析)  

無線インフラ(マイクロ波バックホール、衛星通信)  


このHMC8038LP4CETR製品にご興味がある場合やご質問がございましたら、お気軽に当社の営業チームまでご連絡ください。

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