明佳達は、Navier GaN 充電器パワー チップ NV6128、NV6127、NV6123 を発売しました。これらは QFN6*8mm にパッケージ化されており、電流検出抵抗を使用した場合でも熱放散を強化できます。製品モデル: NV6128、NV6127、NV6123年: 最新の 21+パッケージ: QFNNV6128 は統合…
明佳達は、Navier GaN 充電器パワー チップ NV6128、NV6127、NV6123 を発売しました。これらは QFN6*8mm にパッケージ化されており、電流検出抵抗を使用した場合でも熱放散を強化できます。
製品モデル: NV6128、NV6127、NV6123
年: 最新の 21+
パッケージ: QFN
NV6128 は統合ゲート ドライバを統合し、10 ～ 30 V の電源をサポートし、プログラム可能なターンオン スルー レートを備えています。ケルビン ソースを使用すると、高周波スイッチングに対する寄生パラメータの影響を効果的に低減できます。 NV6128の導通抵抗は、Nano-Micro GaNパワーチップの中で最も低い70mΩです。このチップの定格動作電圧は 650V で、ピーク耐電圧は 800V で、システム内でより信頼性が高く、2MHz の高いスイッチング周波数をサポートします。
NV6127 は QFN6*8mm パッケージを採用し、放熱性能が向上し、伝導抵抗が 125mΩ、内蔵ドライバが 10-30V 電源をサポートします。最大 2MHz のスイッチング周波数がサポートされています。
NV6123 チップは、NV6113 の熱的に強化されたバージョンで、高周波およびソフト スイッチング トポロジー向けに最適化されており、内蔵ドライバ、300mΩ の伝導抵抗、および 6*8mm QFN パッケージを備えています。
特徴
GaNFast™パワーIC
• 大型冷却パッド
• CS 抵抗を使用する場合の熱放散の強化
• モノリシックに統合されたゲート ドライバー
• 広い VCC 範囲 (10 ～ 30 V)
• プログラム可能なターンオン dV/dt
• 200 V/ns dV/dt 耐性
• 過渡電圧定格 800 V
• 650 V 連続定格電圧
• 125mΩの低抵抗
• 逆回復料金ゼロ
• ESD 保護 – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)
• 2 MHz 動作
小型、薄型 SMT QFN
• 6 x 8 mm フットプリント、0.85 mm プロファイル
• パッケージのインダクタンスを最小限に抑える
持続可能性
• RoHS、鉛フリー、REACH 準拠
• シリコン ソリューションと比較して最大 40% のエネルギー節約
• システム レベルで 4kg の CO2 カーボン フットプリントを削減
トポロジー/アプリケーション
• AC-DC、DC-DC、DC-AC
• QR フライバック、PFC、AHB、バック、ブースト、ハーフブリッジ、フルブリッジ、LLC 共振、クラス D
• ワイヤレス パワー、ソーラー マイクロ インバーター、LED 照明、TV SMPS、サーバー、テレコム
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