パワーマネジメント (LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC

製品分類

最新情報: 企業の動向; 業界情報

トップページ /企業の動向 /

パワーマネジメント (LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC

ソース:このサイト時間:2022-08-24ブラウズ数:

深圳明佳達会社は、新しいオリジナルの電源管理 (LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC を供給します製品モデル: LMG3425R030RQZR/LMG3425R050RQZRブランド: TI年: 最新の 21+パッケージ: VQFN54LMG3425R030 600V 30mΩ GaN FET、ドライバ、保護、温度レポート、…

深圳明佳達会社は、新しいオリジナルの電源管理 (LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC を供給します

製品モデル: LMG3425R030RQZR/LMG3425R050RQZR

ブランド: TI

年: 最新の 21+

パッケージ: VQFN54

LMG3425R030 600V 30mΩ GaN FET、ドライバ、保護、温度レポート、理想ダイオードモードを内蔵

LMG3425R050 600V 50mΩ GaN FET、ドライバ、保護、温度レポート、理想ダイオードモードを内蔵

製品の特徴

ハードスイッチングトポロジの JEDEC JEP180 規格に準拠

ゲート・ドライバを内蔵した 600V GaN-on-Si FET

高精度ゲートバイアス電圧を内蔵

200V/nsのCMTI

2.2MHzのスイッチング周波数

最適化されたスイッチング性能と EMI 軽減のための 30 V/ns ～ 150 V/ns スルーレート

7.5V～18Vの電源で動作

強力な保護

100 ns 未満の応答時間でのサイクルごとの過電流およびラッチ式短絡保護

ハードスイッチング時の 720V サージに耐える

内部過熱および UVLO 監視に対する自己保護

高度な電源管理

デジタル温度 PWM 出力

理想ダイオードモードにより LMG3425R030 の第 3 象限損失を低減

当社は長期リサイクル電源管理（LMG3425R030RQZR）LMG3425R050RQZRも行っており、オリジナルの正規品のみ、オリジナルのパッケージが優先されます。対処する在庫がある場合は、メールでお問い合わせください：sales@hkmjd.com！

インテグリティリサイクル電子部品シリーズ鈍い材料 IC: 5G チップ、新エネルギー IC、モノのインターネット IC、Bluetooth IC、車両のインターネット IC、自動車グレードの IC、基地局 IC、通信 IC、人工知能 IC、医療用 IC、家電IC、音声IC、メモリIC、センサーIC、マイコンIC、トランシーバーIC、携帯電話IC、iPhone IC/時計IC、ウェアラブルIC、コネクタ、照明IC、コンデンサ抵抗器、TO-247、ダイオードとトライオード。

会社のホームページ: www.hkmjd.com

GaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FETの供給と買収戻る
リスト# Navier GaNパワーチップ「NV6128、NV6127、NV6125、NV6123」を供給