明佳達電子は既存のCY7C1021DV33-10VXI静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)を現物で提供しています。このチップは高性能の静的記憶ソリューションであり、高度なプロセスで製造され、優れた安定性と信頼性を備えています。說明：CY7C1021DV33-10VXICY7C1021DV33-10VXIは高速…
明佳達電子は既存のCY7C1021DV33-10VXI静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)を現物で提供しています。このチップは高性能の静的記憶ソリューションであり、高度なプロセスで製造され、優れた安定性と信頼性を備えています。
說明：CY7C1021DV33-10VXI
CY7C1021DV33-10VXIは高速1Mbit（128K × 8ビット）静的ランダムアクセスメモリ（SRAM）であり、高速アクセス時間10ns、動作電圧3.3Vを備えた高度CMOSプロセスで製造されており、産業制御、通信機器、組み込みシステムなどのアプリケーションに理想的です。
論理ブロック図：CY7C1021DV33-10VXI
特徴：CY7C1021DV33-10VXI
大容量と高速読み取り/書き込み：大容量のストレージ容量と高速読み取り/書き込み速度を提供し、高速データ保存/読み取りのニーズに対応します。
低消費電力設計：低消費電力テクノロジーを採用し、電力消費に厳しいデバイスに適し、バッテリー持続時間を延長します。
安定性と信頼性：高い耐干渉性とデータ保持機能により、過酷な環境下でもデータの整合性を確保できます。
簡単な統合：シンプルなインターフェースで、さまざまなプロセッサやコントローラとの互換性があり、さまざまなシステムでアプリケーションを統合するのが容易です。
パラメータ：CY7C1021DV33-10VXI
メモリタイプ：静的ランダムアクセスメモリ（SRAM）
メモリ容量：128Kb
インターフェイス：16ビット
速度：10ns
電源電圧：3.3V
動作温度:-40°Cへの85°C
パッケージ：TSSOP
アプリケーション：CY7C1021DV33-10VXI
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