需給GaNパワーチップNV6152-RAシングル、650V、450mOhms、PQFN 5x6

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需給GaNパワーチップNV6152-RAシングル、650V、450mOhms、PQFN 5x6

ソース:このサイト時間:2023-11-27ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社GaNパワーチップNV6152-RAゲートドライバGaNFast、GaNSense付き、シングル、650V、450mΩ、PQFN 5x6用製品概要GaNパワーチップNV6152は、新世代のパワーチップ製品で、GaNSenseロスレス電流検出回路を内蔵し、外付けの電流検出抵抗をなくし、電流…

深圳市明佳達電子有限会社GaNパワーチップNV6152-RAゲートドライバGaNFast、GaNSense付き、シングル、650V、450mΩ、PQFN 5x6用

製品概要

GaNパワーチップNV6152は、新世代のパワーチップ製品で、GaNSenseロスレス電流検出回路を内蔵し、外付けの電流検出抵抗をなくし、電流検出抵抗の消費電力をなくし、充電器の変換効率を向上させ、ロスレス電流検出を内蔵するだけでなく、インテリジェント・スタンバイ・モードにより、より高速な過電流保護を提供し、性能と信頼性をさらに高め、スタンバイ消費電力を低減します。スタンバイ消費電力を削減します。

NV6152は、ドライバ、高精度ロスレス電流サンプリング回路、保護回路を内蔵しており、オン抵抗450mΩ、耐電圧650V、過渡耐電圧800V、スイッチング周波数2MHzをサポートし、面積を節約するために5*6mm QFNパッケージで提供されます。

モデル番号：NV6152-RA

製品：MOSFETゲートドライバ

タイプ：ハーフブリッジ

実装スタイル： SMD/SMT

パッケージ/ケース: PQFN-5x6-8

ドライバ数： 1ドライバ

出力数： 1出力

電源電圧 - 最小： 10 V

電源電圧 - 最大： 24 V

構成：反転

立ち上がり時間： 6 ns

立ち下がり時間： 3 ns

最低動作温度： - 40

最大動作温度： + 125 C

シリーズ: GaNFastとGaNSenseテクノロジー

湿度感度: はい

製品タイプ: ゲートドライバ

伝搬遅延 - 最大: 11 ns

工場出荷時パッケージ数量: 1000

サブカテゴリ： PMIC - パワーマネージメントIC

技術: GaN

商号: GaNFast

窒化ガリウムチップNV6152-RAの長期リサイクル GaNSense™技術を搭載したGanFast™電源ICは、代理店、トレーダー、最終工場などの正規のチャネルソースのみを受け入れます。

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