1月3日付の韓国メディア『Chosun Biz』は、サムスン電子のDS事業部メモリー・ビジネス・ユニットがこのほどHBM4メモリー・ロジック・チップの設計を完了し、ファウンドリー・ビジネス・ユニットがこの設計に基づいて4nmプロセスでの試作を開始したと報じた。サムスン電子
1月3日付の韓国メディア『Chosun Biz』は、サムスン電子のDS事業部メモリー・ビジネス・ユニットがこのほどHBM4メモリー・ロジック・チップの設計を完了し、ファウンドリー・ビジネス・ユニットがこの設計に基づいて4nmプロセスでの試作を開始したと報じた。
サムスン電子は、ロジックチップの最終性能検証が完了した後、開発したHBM4メモリのサンプルを顧客に提供する。
HBM4世代では、メモリスタックのI/Oピン数が倍増し、より多くの機能を集積する必要があるなどの一連の要因により、主要メモリメーカー3社がロジック半導体を採用してロジックチップを製造している。 HBM4世代では、メモリスタック内のI/Oピン数が倍増し、より多くの機能を統合する必要があるなどの一連の要因により、3大メモリメーカーはロジック半導体を採用してロジックチップを製造している。
業界関係者によると、動作中の発熱はHBMメモリの最大の敵であり、スタック全体のロジックチップは主要な発熱源であるため、ロジックチップの製造に高度なプロセスを使用することで、HBM4のエネルギー効率と性能を向上させることができるという。
サムスン電子は、HBM3（E）世代で品質上の理由から失ったHBMメモリの市場シェアを取り戻すため、HBM4では比較的積極的な技術路線を取ろうとしている。ロジックチップの製造に独自の4nmプロセスを採用するほか、サムスン電子はHBM4で1c nmプロセスのDRAMダイを導入し、16Hiスタックではバンプフリーのハイブリッドボンディング技術を導入する見込みだ。
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