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(1-Output) LTC7893AUFDM GaN FET用の100V低IQ同期昇圧コントローラです

(1-Output) LTC7893AUFDM GaN FET用の100V低IQ同期昇圧コントローラです

ソース:このサイト時間:2024-12-21ブラウズ数:

商品説明:LTC7893AUFDMは、出力電圧が100VまでのすべてのNチャネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワーステージを駆動できる高性能な昇圧dc-dcスイッチスタビライザーです。LTC7893は,従来GaN FETsを使用する際に直面していた多くの課題を解決します…

商品説明:

LTC7893AUFDMは、出力電圧が100VまでのすべてのNチャネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワーステージを駆動できる高性能な昇圧dc-dcスイッチスタビライザーです。LTC7893は,従来GaN FETsを使用する際に直面していた多くの課題を解決します。シリコン金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ソリューションと比較して、LTC7893は、保護ダイオードや追加の外部部品を必要とせずにアプリケーション設計を簡素化できます。


LTC7893のゲート駆動電圧は性能を最適化するために4Vから5.5Vの範囲で正確に調整することができ、異なるGaN FETs、さらに論理レベルのMOSFETsを使用することができます。昇圧コンバータレギュレータからバイアスを出力する場合、起働後LTC7893は1Vまで低い入力電源で働作できます。

电路图.png

特徴です:

GaN FETに完全に最適化されたGaN駆動技術です

出力電圧は100Vにもなります

広いVIN範囲:4Vから60V,起働後は1Vまでの電圧で働作します。

Catch、Clamp、Bootstrapダイオードは不要です

内部スマートブートスイッチは、高側ドライブ電源の過充電を防止します。

抵抗調整可能デッドゾーン時間です

ドライバのオン・オフ強度を調整可能な出力ゲートドライバを分離します。

正確に調整可能なドライバ電圧とUVLOです

IQは15μAです

プログラム可能な周波数(100kHz ~ 3MHz)です。

同期可能周波数(100kHz ~ 3MHzまで)です。

拡散周波数変調

28ピン(4mm × 5mm)、側面ウェット、QFNパッケージです。

aec-q100認証は自動車向けです


応用です:

自動車産業用のパワートレインです

軍用航空機器と医療システムです

電気通信システムです


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