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車載グレードMOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS™- 6 パワートランジスタ_自動車用途

車載グレードMOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS™- 6 パワートランジスタ_自動車用途

ソース:このサイト時間:2024-12-14ブラウズ数:

明佳達電子新品およびオリジナルインフィニオン自動車グレードMOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS™- 6 パワートランジスタ、40V、Nch、1.5mΩ Max、SS08(5x6)製品概要:IAUC100N04S6N015は、SS08(5x6mm)パッケージの40V、Nチャネル、最大オン抵抗(RDS(on))1.5mΩの車…

明佳達電子新品およびオリジナルインフィニオン自動車グレードMOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS™- 6 パワートランジスタ、40V、Nch、1.5mΩ Max、SS08(5x6)


製品概要:

IAUC100N04S6N015は、SS08(5x6mm²)パッケージの40V、Nチャネル、最大オン抵抗(RDS(on))1.5mΩの車載グレードMOSFETです。

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特長

車載アプリケーション向けに設計されたOptiMOS™技術。

Nチャンネル・エンハンスメント・モード

車載グレード・アプリケーション向けAEC Q101準拠。

最高動作温度175℃。

グリーン製品(RoHS対応)。

100%アバランシェ・テスト済み。


電気的特性:

連続ドレイン電流 (I_D): 100A.

オン抵抗(RDS(on)@Vgs,Id):1.55mΩ max. V_GS=10V、Id=50A時。

スレッショルド電圧 (Vgs(th)@Id): 3V at Id=150uA.


製品特性

FETタイプ:Nチャンネル  

技術:MOSFET(金属酸化膜)  

ドレイン-ソース間電圧(Vdss):40 V  

25℃における連続ドレイン電流(Id):100 A(Tc)  

駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):7V、10V  

異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):1.55 mOhm @ 50A、10V  

異なるIdでのVgs(th)(最大): 3V @ 50µA  

ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 55 nC @ 10 V  

Vgs(最大):±20V  

入力キャパシタンス(Ciss)(Vds(最大)変化時): 3470 pF @ 25 V  

許容損失(最大): 100W(Tc)  

動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)  

グレード: オートモーティブ・グレード  

認定: AEC-Q101  

実装タイプ:表面実装 


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