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  • 東芝、より効率的な産業機器用の第 3 世代の SiC MOSFET を発売

    東芝、より効率的な産業機器用の第 3 世代の SiC MOSFET を発売

    東芝デバイス&ストレージ株式会社(以下、東芝)は、本日、パワーデバイスの第3世代シリコンカーバイド(SiC)MOSFET「TWxxNxxxCシリーズ」を発売しました。 このシリーズは、スイッチング損失を大幅に低減する低オン抵抗が特徴です。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-31 所属欄:業界情報
  • EasyPACK™ F3L600R10W4S7FC22 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT モジュールを供給

    EasyPACK™ F3L600R10W4S7FC22 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT モジュールを供給

    明佳逹は、EasyPACK™ F3L600R10W4S7FC22 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT モジュール、真新しくオリジナル、価格優位性、品質保証があります。興味がある場合は、陳氏に連絡してください: 電話 +8613410018555、電子メール sales@hkmjd.com!

    ソース:このサイト 時間:2022-08-31 所属欄:企業の動向
  • IGBT モジュール F3L400R10W3S7B11_F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V ベースマウントモジュール

    IGBT モジュール F3L400R10W3S7B11_F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V ベースマウントモジュール

    明佳逹電子は IGBT モジュール F3L400R10W3S7B11 F3L400R10W3S7B11BPSA1 を供給およびリサイクルし、エージェント、トレーダー、端末工場などの通常のソースのみをリサイクルし、通常のソース以外のソースは受け入れません。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-31 所属欄:企業の動向
  • 産業用電源管理 LMG3422R050RQZR 統合ドライバ 600V 50mΩ GaN FET

    産業用電源管理 LMG3422R050RQZR 統合ドライバ 600V 50mΩ GaN FET

    明佳逹電子供給およびリサイクル 産業用電源管理 LMG3422R050RQZR LMG3422R050 600V 50mΩ GaN FET、統合ドライバ、保護、および温度レポート付き。在庫がある場合はお問い合わせください。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-31 所属欄:企業の動向
  • アナログチップ大手ADIが値上げを発表

    アナログチップ大手ADIが値上げを発表

    あいおいニッセイ同和損保は、新規受注や既存の予約需要を含む全商品の値上げを行うが、具体的な値上げは明らかにせず、値上げは2022年9月25日から実施する。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-30 所属欄:業界情報
  • TSMC:3nmは近々量産、2025年までに2nmの量産を目指す

    TSMC:3nmは近々量産、2025年までに2nmの量産を目指す

    TSMC の社長は本日、2022 TSMC Technology Forum に出席し、TSMC は以前から 3nm について考えており、FF アーキテクチャを維持し、量産化する予定であると述べました.2nm に関しては、2025 年には大量生産も保証されますが最先端技術になります。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-30 所属欄:業界情報
  • Infineon IGBT モジュール FS3L200R10W3S7FB11、FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 トレンチ フィールド ストップ 950V 70A

    Infineon IGBT モジュール FS3L200R10W3S7FB11、FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 トレンチ フィールド ストップ 950V 70A

    明家達電子需給 新品 オリジナル インフィニオン FS3L200R10W3S7FB11, FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 IGBT モジュール トレンチ フィールドストップ 三段インバーター 950V 70A 20mW ベースマウント AG-EASY3B

    ソース:このサイト 時間:2022-08-30 所属欄:企業の動向
  • 供給と需要 TI LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC

    供給と需要 TI LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC

    明佳逹会社需給電力管理 LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC は、エージェント、トレーダー、端末工場などの元の本物である限り、上記の要件がある場合、新品と見なされません。チェン氏のメールセールス@hkmjd.comまでご連絡ください!

    ソース:このサイト 時間:2022-08-30 所属欄:企業の動向
  • 電源 IC LMG3410R150RWHR ゲートドライバ 600V 150m GaN 32-VQFN

    電源 IC LMG3410R150RWHR ゲートドライバ 600V 150m GaN 32-VQFN

    明佳逹供給およびリサイクル電源 IC LMG3410R150 LMG3410R150RWHR、真新しいオリジナル、大規模な工場在庫、価格優位性、必要に応じて、陳氏に連絡してください: 電子メール sales@hkmjd.com!

    ソース:このサイト 時間:2022-08-30 所属欄:企業の動向
  • 運輸省: 新エネルギー インテリジェント ネットワーク車両の適用をさらに拡大

    運輸省: 新エネルギー インテリジェント ネットワーク車両の適用をさらに拡大

    8 月 29 日、CCTV によると、2022 年世界新エネルギー車会議は 8 月 28 日に終了します。運輸省の担当者は、新エネルギーインテリジェントネットワーク車両の開発と適用をさらに支援すると述べた。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-29 所属欄:業界情報
  • Qualcomm から別の 4nm チップがリリースされました: 千元マシン市場向けの 2.2GHz のメイン周波数

    Qualcomm から別の 4nm チップがリリースされました: 千元マシン市場向けの 2.2GHz のメイン周波数

    8月29日、クアルコムは今年、Snapdragon 8とSnapdragon 7を相次いで製品化し、現在Snapdragon 6がデビューしようとしていると報じられました。 本日、内部告発者のevleaksがQualcomm Snapdragon 6(Snapdragon 6 Gen1)の詳細なパラメータを事前に発表しました。

    ソース:このサイト 時間:2022-08-29 所属欄:業界情報
  • IGBT モジュール FF900R12ME7B11/FF900R12ME7B11NPSA1 2 独立 1200V 900A

    IGBT モジュール FF900R12ME7B11/FF900R12ME7B11NPSA1 2 独立 1200V 900A

    明佳逹は、IGBT モジュール FF900R12ME7B11/FF900R12ME7B11NPSA1 のオリジナル、供給、およびリサイクルのみを行います.処理する余分な在庫が残っている場合は、Mr.Chen に連絡してください!

    ソース:このサイト 時間:2022-08-29 所属欄:企業の動向
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