供給と需要 TI LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC

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供給と需要 TI LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC

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明佳逹会社需給電力管理 LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC は、エージェント、トレーダー、端末工場などの元の本物である限り、上記の要件がある場合、新品と見なされません。チェン氏のメールセールス@hkmjd.comまでご連絡ください！

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ドライバと保護機能を内蔵した LMG341xR150 GaN FET により、設計者はパワーエレクトロニクスシステムでより高いレベルの電力密度と効率を実現できます。シリコン MOSFET と比較して、デバイス固有の利点には、超低入力および出力容量、スイッチング損失を最大 80% 削減するゼロ逆回復、および EMI を削減する低スイッチノードリンギングが含まれます。これらの利点により、トーテムポール PFC などの高密度で効率的なトポロジが可能になります。

LMG341xR150 は、設計を簡素化し、信頼性を最大化し、あらゆる電源の性能を最適化する独自の機能セットを統合することにより、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わるスマートな代替品を提供します。統合されたゲートドライブにより、100 V/ns スイッチング、ほぼゼロの V DS リンギング、100 ns 未満の電流制限応答が偶発的なシュートスルーイベントから保護され、サーマルシャットダウンにより熱暴走が防止され、システムインターフェイスシグナリングにより自己監視機能が提供されます。

供給モデル: LMG3411R150RWHR

ロット番号：最新21+

パッケージ: VQFN32

説明: 統合ドライバとサイクルごとの過電流保護を備えた 600V 150mΩ GaN

属性:

スイッチタイプ: 負荷スイッチ

出力数：1

比率 - 入力:出力 1:1

出力構成：ハイエンド

出力タイプ：Nチャンネル

インターフェース: ロジック、PWM

電圧 - 負荷: 480V (最大)

電圧 - 電源 (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

電流 - 出力 (最大): 6A

オン抵抗 (標準): 150 ミリオーム

入力タイプ: 非反転

特長: ブートストラップ回路、5V安定化出力

フォルト: 過電流保護、過熱保護、UVLO

動作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)

取り付けタイプ: 表面実装タイプ

ベンダーデバイスパッケージ: 32-VQFN (8x8)

パッケージ/ケース: 32-VQFN 露出パッド

ベース製品番号: LMG3411R150

リサイクル電源管理 LMG3411R150RWHR LMG3411R150 窒化ガリウム (GaN) IC です。代理店、業者、端末工場などのオリジナルの本物である限り、新品および再生品は考慮されません。上記の要件がある場合は、Mr.陳メール sales@hkmjd.com !

同社はまた、電子部品、5Gモジュール、新エネルギーモジュール、5Gチップ、基地局IC、人工知能IC、ネットワークIC、Bluetooth IC、携帯電話IC、自動車IC、通信IC、家電IC、電源などの電子インベントリを取得しました。 IC、ドライバIC、IoT IC・モジュールチップ、コネクタ、高周波モジュール、メモリ、リレー、MOS管、シングルチップマイコン、二次・三次管などの製品。

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