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Nexperia

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GANB4R8-040CBAZ

製品番号:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)

パッヶージ:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

製品番号:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル150 V 100A (Ta) 65W (Ta) VQFN

パッヶージ:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF060120D7A0J

製品番号:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャネル1200 V 38A (Tc) 167W (Tc) to-263 -7です。

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120L4A0Q

製品番号:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャンネル1200 V 65A (t) 306W (t) to-247-4です。

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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