商品名称:STM32H747BIT6
データマニュアル:STM32H747BIT6.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:208-LQFP
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:5000 件
STM32H747BIT6 高性能MCU 480MHzマイクロコントローラIC
STM32H747BIT6の製品概要
STM32H747BIT6デバイスは、3つのADC、2つのDAC、2つの超低消費電力コンパレータ、低消費電力RTC、高解像度タイマ、12の汎用16ビットタイマ、モータ制御用PWMタイマ2、低電力タイマ5、真の乱数発生器(RNG)を提供します。また、外部シグマデルタモジュレータ(DFSDM)用に4つのデジタルフィルタをサポートしています。また、標準および高度な通信インタフェースを備えています。
STM32H747BIT6」の仕様
I/O数:168
プログラムメモリ容量:2MB(2M×8本)
プログラムメモリータイプ:FLASH
RAMサイズ:1M×8
電圧-電源(Vcc/Vdd):1.62V~3.6V
データコンバーター:A/D 32x16b; D/A 2x12b
発振器タイプ:内部
動作温度:-40℃~85℃(TA)
マウントタイプ:表面実装
パッケージ/ケース:208-LQFP
サプライヤーデバイスパッケージ:208-LQFP (28x28)
STM32H747BGT6の特徴
低消費電力
充電機能付きVBATバッテリー動作モード
CPUとドメインの電源状態監視端子
2.95 μA スタンバイモード(バックアップSRAM OFF、RTC/LSE ON)時
クロック管理
内部発振器。64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI
外部発振器。4-48MHz HSE, 32.768kHz LSE
3×PLL(システムクロック用1、カーネルクロック用2)、フラクショナルモード搭載
インターコネクトマトリックス
CPUをアンロードするための4つのDMAコントローラ
1×高速マスターダイレクトメモリアクセスコントローラ(MDMA)、リンクドリスト対応
2×デュアルポートDMA(FIFO付き
リクエストルーター機能付き1×ベーシックDMA
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
NXP
HVQFN33
80000
32ビットARM® Cortex®-M0+マイクロコントローラ、最大32kBフラッシュおよび8kB SRAM、12ビットADC、コンパレータ
ST
LQFP-48
24000
ARMマイクロコントローラ - MCUメインストリームバリューラインArm Cortex-M0+ MCU 64Kバイトフラッシュ 8KバイトRAM、64MHz
ST
LQFP-32
48000
ARMマイクロコントローラ - MCUメインストリームバリューラインArm Cortex-M0+ MCU 64Kバイトフラッシュ 8KバイトRAM、64MHz
ST
UFQFPN-32
15000
ARM マイクロコントローラ - MCU メインストリーム ミックスドシグナル MCU Arm Cortex-M4 コア DSP & FPU、64K バイトフラッシュ 7
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SCT025H120G3-7
SCT025H120G3-7デバイスは1種の1200 V炭化シリコンパワーMOSFETで、(ST)先進的なSiC MOSFET技術を採用して開発しました。sct025h120g3−7、低い力のあるrds (on)き、低いコンデンサと高いのスイッチを操作性能を適用し高周波、効率、システムの寸法と重量を応用シーン…SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG素子は1200 Vの自動車用炭化シリコンパワーMOSFETトランジスタで、STの先進的な第三世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。高スイッチング速度と堅牢な内蔵ダイオードで、高週波応用に適しています。また、SCT016H120G3AGはaec-q101規格に準拠しており…SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AGデバイスは自働車クラスの炭化シリコンパワーMOSFETで、STの先進的な第三世代炭化シリコンMOSFET技術を採用しています。このデバイスは、全温度範囲で非常に低いRDS (on)と低容量と非常に高いスイッチング動作を持っているので、周波数、エネルギー効率、…SCT055TO65G3
SCT055TO65G3は、領域ごとのオン抵抗(RDS(on))が極めて低く、スイッチング性能に優れた650 VカーバイドパワーMOSFETトランジスタです。sct055to65g3高速换性能を持つ高周波换の必要な応用に適用される。応用分野です電源スイッチモデル(smps):sct055to65g3適用必要応…SCTWA40N120G2V-4
sctwa40n120g2v−4、素子は一种の1200 v炭化ケイ素パワーmosfetトランジスタで、それをstの先進第2世代sic mosfet技術は、低い力のある導通抵抗、エネルギー使用顕著に低下した。をはじめ、各種工業応用の適用sctwa40n120g2v−4工業电机や電源制御コンバータなど。技…SCTWA40N120G2V
SCTWA40N120G2Vデバイスは1200V炭化ケイ素電界効菓トランジスタ(MOSFET)であり、主に高電圧と高電流処理が必要な場合、例えば電源管理、モーター製御などに用いられる。この炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスはSTの第二世代SiCMOSFET技術を用いて開発された。技術的パラメ…連絡先電話:86-755-83294757
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