ADRF5030BCCZNは絶縁体上シリコン(SOI)プロセスで製造された非反射式単刃双投(SPDT)スイッチです。ADRF5030BCCZNの動作周波数範囲は100 MHzから20 GHzで、挿入損失は1.2 dB以下、分離度は45 dB以上です。また、ADRF5030BCCZNは、相補性金属酸化物半導体(CMOS)と低電圧トランジスタ−トランジスタ論理(LVTTL)互換制御を採用しています。
主な特性です
ブロードバンドの周波数範囲は100 MHzから20 GHzです
非反射50オメガデザイン
低挿入ロスです
0.1 GHzから6 GHzまでは0.7 dB(通常値)です。
6 GHzから12 GHzの間は0.9 dBです(典型値)
1.2 dB(通常値),最大20 GHzです
高隔離度です
100 MHzから6 GHzまでは55 dB(通常値)です。
6 GHzから12 GHzまでは50 dB(通常値)です。
20 GHzまでで45 dB(通常値)です
高入力線形性です
P0.1dB: >36 dBm(通常値)です。
IP3: >60 dBm(通常値)です。
高RF電力処理能力です
パス:36 dBmピーク/33 dBm平均です
終端経路:36 dBmピーク/33 dBm平均です
36 dBmピーク/33 dBm平均値です
CMOS/LVTTL対応です
低周波スプリアスがありません無負電圧発生器です
RFスイッチング時間:70 nsです。
RF確立時間(0.1 dB): 95 nsです
単電源動作能力(VDD = 3.3 V、VSS = 0 V)です。
20ピン、3 mm × 3 mm、LGAパッケージです。
ピンはADRF5022とADRF5026に対応しています。
ADRF5030BCCZNは様々な用途に適しています。
試験装置です
軍用無線レーダー電子対策(ECM)です
マイクロ波無線及び超小型開口終端装置(VSAT)です
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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