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HMC849ALP4CEは、高隔離非反射DCから6 GHzまでのGaAs pHEMT SPDTスイッチで、低コストの無端子表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、セルラー/WiMAX/4Gインフラストラクチャアプリケーションに最適で、最大60 dBの絶縁、0.8 dBの低挿入損失、および+52 dBmの入力IP3を実現します。5～6 GHzのWiMAX周波数帯域において、このデバイスは高い電力処理能力を有し、さらに+31 dBmのP1dB圧縮点性能を提供します。チップ内回路は、極低直流電流下で0/+3Vまたは0/+5Vの単一正電圧制御を実現します。 エンブル入力（EN）を論理ハイレベルに設定すると、このスイッチは「全閉」状態になります。

HMC849ALP4CEの特性：

高隔離度：最大60 dB

単一正電圧制御：0/+3Vから+5V

高入力IP3：+52 dBm

非反射設計

「全閉」状態

16ピン4x4mm SMTパッケージ：16mm²

典型的な応用例

HMC849ALP4CE は次のような用途に適用されます：

セルラー/4Gインフラストラクチャ

WiMAX、WiBroおよび固定無線

自動車テレマティクスシステム

移動無線

テスト機器

HMC849ALP4CE 技術仕様：

スイッチ構成:    SPDT    

最小周波数:    0 Hz    

最大周波数:    6 GHz    

挿入損失:    1.8 dB    

オフ時アイソレーション—典型値:    50 dB    

最小動作温度:    -40°C    

最大動作温度:    +85°C    

取り付け方式:    SMD/SMT

パッケージ/ケース:    QFN-16    

技術:    GaAs    

シリーズ:    HMC849

スイッチ数:    デュアル    

動作電源電流:    1.3 mA    

Pd-電力消費:    969 mW

電源電圧-最大:    5 V    

電源電圧-最小:    3 V

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

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  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

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