ADRF5031BCCZNはシリコン絶縁体(SOI)プロセスで製造された非反射SPDTスイッチで、動作周波数は9 kHzから20 GHz、挿入損失は1.05 dB以下、遮蔽度は45 dB以上です。±3.3 Vのデュアル電源電圧で動作します。また、ADRF5031BCCZNは、相補型金属酸化物半導体(CMOS)と低電圧トランジスタ−トランジスタ論理(LVTTL)互換制御を採用しています。
ADRF5031BCCZNの特徴は以下の通りです。
帯域幅は9 kHzから20 GHzです
非反射50オメガデザイン
低挿入ロスです
9 kHzから6 GHzの範囲では,0.6 dBが一般的です
6 GHzから12 GHzの間の平均値は0.8 dBです
1 dB,最大20 GHzです
高分離です
9 kHzから6 GHzの範囲では,55 dBが一般的です
6 GHzから12 GHzの範囲では,50 dBが一般的です
その後,20 GHzまでの範囲で,通常値は45 dBです
高入力線形性です
P0.1dB: 35 dBm(通常値)です。
ip3:62 dBm(通常値)です。
高RF電力処理能力です
ピーク35 dBm平均33 dBmです
終了経路:ピーク32 dBm,平均30 dBmです
RFC:ピーク値35 dBm、平均33 dBmです
RFx:ピーク32 dBm,平均30 dBmです
CMOS/LVTTL対応です。
低周波スプリアスがありません無負電圧発生器です
RF切り替え時間は5.0マイクロ秒です
RF確立時間(0.1 dB): 5.3マイクロ秒です
単電源(VDD = 3.3 V、VSS = 0 Vです)
20端子、3 mm × 3 mm LGAパッケージです。
ピンはADRF5023 & ADRF5027対応です。
応用分野です
ADRF5031BCCZNは以下のような分野で広く使われています。
測定器の計器です
軍用無線レーダー電子対策(ECM)です
マイクロ波無線周波数及び超小型開口端末(VSAT)です
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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