LM5108DRCR」は、最大スイッチング・ノード(HS)定格が100Vの高周波ハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。このデバイスを使用すると、同期降圧、フルブリッジ、アクティブ・クランプ・フォワード、LLC、同期昇圧などのハーフブリッジ構成に基づくトポロジで、2つのNチャネルMOSFETを制御できます。
LM5108DRCRデバイスは、両方の入力がHighのときに両方の出力が同時にHighになるのを防ぐインターロック機能を備えています。 このインターロック機能により、モーター・ドライバや電動工具アプリケーションにおけるシステムの堅牢性が向上します。 パワー・ステージは、イネーブルおよびディセーブル機能を使用して、柔軟かつ迅速に制御できます。 バッテリ駆動の工具では、LM5108DRCRの機能を使用してスタンバイ電流を低減し、システム・フォルトに応答することもできます。 入力は電源電圧に依存せず、独立したパルス幅を持つことができます。 これにより、制御の柔軟性が非常に高くなります。 入力とイネーブルの両方に十分なヒステリシスがあり、モーター・ドライブなどノイズに敏感なアプリケーションでシステムの堅牢性を向上させます。
ローサイド出力とハイサイド出力は、互いのターンオンとターンオフを1nsという低さで一致させます。 これにより、デッドタイムが最適化され、効率が向上する。5V UVLOにより、ドライバは低バイアス電源で動作できるようになり、その結果、スイッチング損失を増加させることなく、パワー段をより高いスイッチング周波数で動作させることができる。VDDおよびHB UVLOスレッショルド仕様は、ハイサイドおよびローサイド・ドライバが通常5Vでスイッチオンするように設計されている。 VDD と HB UVLO スレッショルドが同じ場合、設計者はハイサイドとローサイドの両ドライバをオンにするために VDD UVLO スレッショルド以上のバイアス電源を必要とする。
オンボード・ブートストラップ・ダイオードにより、外付けのディスクリート・ダイオードが不要となり、基板スペースの利用が向上します。 小型パッケージは、電動工具などの小型電源設計をサポートします。
LM5108DRCRの特長
2個のNチャンネルMOSFETをハイサイド/ローサイド構成で駆動
3mm×3mmパッケージで提供
インターロックまたはトランスコンダクタンス保護
イネーブル/ディセーブル機能
HSピンが許容する絶対最大負電圧(-7V)
5V標準低電圧ロックアウト
20ns標準伝搬遅延
1000pF負荷で11nsの立ち上がり時間、8nsの立ち下がり時間(代表値
1ns(標準)遅延一致
シンク電流2.6A、プル電流出力1.6A
絶対最大起動電圧110V
ディスエーブル時の超低消費電流(7µA)
ブートストラップダイオード内蔵
LM5108DRCRのアプリケーション
- モータドライブおよび電動工具
- スイッチモード電源
- 補助インバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
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