STGB10NC60HDT4は、高度なパワーメッシュ技術を採用し、スイッチング性能と低オン状態動作のバランスを保ちます。同技術によりstgb10nc60hdt4導通で下げの电圧(vce (sat)は低く、かつ交差伝送しなかった容疑で、特性は柔らかくて速い回復。その仕様と応用分野は以下の通りです。
技術仕様です
IGBTタイプ:-です
電圧-輻射破壊(最大値):600 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):20 Aです。
電流-コレクタパルス(Icm): 30 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):2.5V @ 15V, 5Aです。
出力-最大値:65 Wです。
スイッチングエネルギーは31.8µJ(オン),95µJ(オフ)です
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:19.2 nCです
25℃でのTd(オン/オフ)値は14.2ns/72nsです。
試験条件は390V, 5A, 10オーム,15Vです
逆回復時間(trr): 22 nsです。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ケース:d2pak-3です
応用分野です
STGB10NC60HDT4は以下のような用途に適しています。
高周波电机統制:その急速にスイッチの性能のために、高周波电机統制に適用される。
smpsとpfc:硬スイッチと共振位相でも優れている。
电机駆動:电机ドライブ用で、効率の电机統制を提供している。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ROHM
TO-247GE
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)5μs Short-Circuit Tolerance,650 V30 A,FRD Built-in,TO-247 GE
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi1200 V35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)IGBT Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
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