STGW40H120DF2はH系に属するIGBT(絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ)で、1200Vの耐圧と40Aの電流処理能力を備えています。同素子をまで構造先進の槽鉄柵試合、効率を持つが、急速にスイッチと低導通読んだりの特徴。その仕様は以下の通りです。
IGBTタイプ:溝型フィールドオフです
電圧-輻射破壊(最大値):1200 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):80 Aです
電流-集電パルス(Icm): 160 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):2.6V @ 15V, 40A
出力-最大値:468 Wです。
スイッチエネルギー:1mJ(オン),1.32mJ(オフ)です。
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:187 nCです
25°CでTd(オン/オフ)値:18ns/152nsです。
試験条件:600V、40A、10オーム、15Vです。
逆回復時間(trr): 488 nsです。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ハウジング:to-247-3です。
応用分野です
STGW40H120DF2は高週波コンバータ、電机駆働、産業制御、パワーエレクトロニクスなどの分野で、高効率と速いスイッチングを必要とするアプリケーションに適しています。その最適化した導通とスイッチを読んだりのバランスを特別に高い周波数変換、全体システム効率を高めることができる。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ROHM
TO-247GE
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)5μs Short-Circuit Tolerance,650 V30 A,FRD Built-in,TO-247 GE
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi1200 V35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)IGBT Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
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STGB30M65DF2
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STW48NM60Nは、第2世代MDmesh™ II技術を採用したNチャネルパワーMOSFETで、600Vの高耐圧と44Aの連続ドレイン電流能力を備え、高効率な電源変換、モーター駆動、および産業用アプリケーションに最適です。STGB10NB37LZT4
STGB10NB37LZT4は、NチャネルIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)で、D2PAK(TO-263-3)パッケージを採用し、モーター駆動、電源変換、産業用制御システムなどの高出力スイッチングアプリケーションに最適です。L99MH98
L99MH98は、16個までのNトレンチmosfetを制御するための統合8ウェイハーフブリッジのプリドライバです。自動車の電動シート制御などの直流モータ制御アプリケーションに適しています。L99MH98デバイスは24ビットのシリアル周辺機器インターフェース(SPI)を採用し、8つのハ…PWD5T60TR
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