HMC8038LP4CETRは、高アイソレーション、非反射型、0.1 GHz~6.0 GH、シングルポールデュアルフロー(SPDT)スイッチングチップで、ピンレスの表面マウントパッケージで提供されます。セルラーインフラストラクチャアプリケーションに最適なスイッチは、最大4.0GHzで62dBのアイソレーション、最大4.0GHzで0.8dBの低挿入損失、および60dBmの入力3次交差変調切断点を実現します。最大6.0 GHzの優れたパワーハンドリングを実現し、35dBmに対する0.1dB圧縮点(P0.1dB)の入力電力(VDD=5 V)を提供します。オンチップ回路は、非常に低DCで3.3V~5Vの単一正電圧と0V~1.8V/3.3V/5.0Vの単一正電圧制御を採用しています。イネーブル入力(EN)を論理ハイレベルに設定すると、このスイッチはすべてオフ状態になります。ここで、RFCは反射型です。
HMC8038LP4CETRのデバイスピンは、RFインターフェースを含むすべてのESD保護を提供し、4kV HMBと1.25kV CDMに耐えます。HMC8038LP4CETRは、150 nsと170 nsの高速スイッチングおよびRFセットアップタイムパフォーマンスを提供します。このデバイスは、RoHSに准拠したコンパクトな4mm × 4mm LFCSPパッケージで採用されています。
特性-HMC8038LP4CETR
非反射型50Ω設計
高いアイソレーション:60 dB(典型的)
低挿入損失:0.8dB(typical)
ハイパワー処理
34 dBm(経路を介して)
29 dBm(終端パス)
高い線形性
0.1dB圧縮(P0.1dB):35dBm(典型)
入力3次交差切断点(IP3):60 dBm(典型)
ESD評価
4 kVマネキン(HBM)、クラス3A
1.25kV充電器モデル(CDM)
単一ポジティブ電源
3.3Vへの5V
1.8V互換性のある制御
アプリケーション-HMC8038LP4CETR
セルラー/4Gインフラストラクチャ
ワイヤレスインフラストラクチャ
自動車テレマティクスシステム
モバイル無線
テスト装置
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
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