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TMS5702135DPGEQ1デバイスは、1.66 DMIPS/MHzの高効率を実現するARM Cortex-R4F浮動小数点CPUを集積しており、最大180 MHzで動作して最大298 DMIPSを実現する構成を備えています。 このデバイスは、ワード不変ラージ・エンド・シークエンス[BE32]フォーマットをサポートしています。

TMS5702135DPGEQ1デバイスは、最大3MBの内蔵フラッシュ・メモリと、シングル・ビット・エラー訂正とダブル・ビット・エラー検出をサポートする最大256KBのデータRAMを備えています。このデバイスのフラッシュ・メモリは、64ビット幅のデータ・バス・インターフェースによって実装された不揮発性、電気的消去可能、プログラマブル・メモリです。すべての読み出し、プログラム、消去動作において、フラッシュ・メモリは3.3V電源入力（I/O電源と同レベル）で動作します。パイプライン・モードでは、フラッシュは最大180MHzのシステム・クロック周波数で動作する。SRAMは、バイト、ハーフワード、ワード、およびダブルワードモードで、シングルサイクルの読み出しおよび書き込みアクセスをサポートします。

TMS5702135DPGEQ1デバイスは、2つの次世代ハイエンド・タイマ（N2HET）タイミング・コプロセッサや、最大24入力をサポートする2つの12ビットADC（アナログ・デジタル・コンバータ）など、リアルタイム制御ベースのアプリケーション向けのペリフェラルを備えています。

デバイスの属性

コア・プロセッサ：ARM® Cortex®-R4F  

コア仕様：16/32ビット  

スピード: 160MHz  

コネクティビティ： CANbus、EBI/EMI、FlexRay、I²C、LINbus、MibSPI、SCI、SPI、ART/USART  

ペリフェラル： DMA、POR、PWM、WDT  

I/O数：58  

プログラム・メモリ容量：2MB (2M x 8)  

プログラム・メモリ・タイプ：フラッシュ  

EEPROMサイズ：64K x 8  

RAMサイズ：256K x 8  

電圧-電源（Vcc/Vdd）：1.14V～3.6V  

データ・コンバーター： A/D 24x12b  

発振器タイプ：外部  

動作温度： -40°C ~ 125°C (TA)  

実装タイプ：表面実装  

パッケージ/ケース： 144-LQFP  

サプライヤーデバイスパッケージ： 144-LQFP (20x20)

用途

- ブレーキシステム（アンチロックブレーキシステム、エレクトロニック・スタビリティ・コントロール）

- 電動パワーステアリング

- ハイブリッド車（HEV）および電気自動車（EV）用リバーサー・システム

- バッテリー管理システム

- アクティブ・ドライバー・アシスタンス・システム

- 宇宙および航空電子工学

- 鉄道

- オフロード車

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

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