A2T27S020GNR1は、周波数範囲400~2700MHzの携帯基地局アプリケーション向けに設計された2.5WLDMOS RFパワートランジスタです。
特長
負のゲート・ソース電圧範囲を拡大し、C級アンプ動作を改善
デジタル・プリディストーション・エラー訂正システム用に設計
汎用広帯域ドライバ
RoHS対応
A2T27S020GNR1の製品属性
メーカー: NXP
製品カテゴリ: RF金属酸化膜半導体電界効果(RF MOSFET)トランジスタ
トランジスタの極性: Nチャンネル
技術: Si
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧:65 V
動作周波数: 400 MHz~2.7 GHz
利得: 21.1 dB
出力電力: 2.5 W
最低動作温度: - 40
最大動作温度: + 150 C
マウントスタイル:ネジマウント
パッケージ/ケース: TO-270G-2
チャンネル数: 1チャンネル
製品タイプ: RF MOSFETトランジスタ
シリーズ: A2T27S020
工場出荷時パッケージ数量: 500
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタタイプ: LDMOS FET
タイプ:RFパワーMOSFET
Vgs -ゲート-ソース間電圧: + 10 V
Vgs th-ゲート-ソース間電圧:1.6 V
単位重量:548 mg
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