LTC4449IDCBは、同期DC/DCコンバータで2つのNチャネルMOSFETを駆動するために設計された高周波ゲートドライバです。 強力なレールtoレール駆動機能により、ゲート容量の大きいMOSFETのスイッチング損失を低減します。
LTC4449IDCBは、コントローラICの信号スイングに合わせるため、入力ロジック回路用に独立した電源を備えています。 入力信号が駆動されない場合、LTC4449はシャットダウンモードを開始し、両方の外付けMOSFETをオフにします。 入力ロジック信号は内部でブートストラップ電源にレベルシフトされ、グラウンドより最大42V高い電圧で動作可能です。
LTC4449IDCBは、ドライバとロジック電源の両方に低電圧ブロッキング回路を搭載しており、低電圧状態が発生した場合に外付けMOSFETをシャットダウンします。また、LTC4449IDCBにはアダプティブ・パススルー保護機能が内蔵されており、MOSFET間の電流の相互伝導による電力損失を防止します。
LTC4449IDCBは、2mm x 3mmのDFNパッケージで提供されます。
技術仕様
ドライブ構成:ハーフブリッジ
チャネルタイプ: 同期
ドライバ数:2
ゲートタイプ:MOSFET(Nチャンネル)
電圧 - 供給:4V~6.5V
ロジック電圧 - VIL、VIH: 3V、6.5V
電流 - ピーク出力(プルイン、プルアウト): 3.2A、4.5A
入力タイプ: 非反転
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 42 V
立ち上がり/立ち下がり時間(代表値): 8ns、7ns
動作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
用途
分散電源アーキテクチャ
高密度パワーモジュール
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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