商品名称:IPDQ60R022S7AXTMA1
データマニュアル:IPDQ60R022S7AXTMA1.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:PG-HDSOP-22
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
IPDQ60R022S7AXTMA1 (600V) CoolMOS™S7Aパワーデバイスは、低周波数でMOSFETをスイッチングするxEVアプリケーションに適しています。このMOSFETの設計は、低オン抵抗RDS(on)の最適化されたコストを提供し、電力密度の向上と伝導損失の最小化を可能にします。S7A MOSFETは、最高の自動車品質要求を満たす規格aec-q101デバイスです。
製品仕様です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 600 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 24A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 12Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):22ミリオ@ 23A, 12Vです。
Id別Vgs(th)(最大値):4.5V @ 1.44mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):150 nC @ 12 Vです。
Vgs(最大値):±20Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):5640 pF @ 300 Vです
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):416W (Tc)です。
動作温度:-40℃~ 150℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
サプライヤーデバイスパッケージ:pg-hdsop-22-1です。
パッケージ/ハウジング:22-PowerBSOPモジュールです。
基本品番:IPDQ60Rです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TDSON-8
35000
40V、デュアルNチャンネル、11.6 mΩ最大、車載用MOSFET、デュアルSS08(5x6)、OptiMOS™-T2
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