商品名称:車載用MOSFET
ブランド:INFINEON
年:25+
パッヶージ:TO-252-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2500 件
IPD50P04P4L-11は、Pチャネル、エンハンスメントモード、ロジックレベルMOSFETで、40 Vでの最大RDSonは10.6 mΩです。AEC認定、RoHS対応で、バッテリの逆電圧保護および高電圧側駆動アプリケーションに適しています。
IPD50P04P4L-11の製品属性
製品カテゴリ:MOSFET
技術:Si
実装スタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:DPAK-3(TO-252-3)
トランジスタ極性: Pチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:40 V
Id-連続ドレイン電流:50 A
Rds-ドレインオン抵抗:17.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 16 V, + 5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:1.2 V
Qg - ゲート電荷量: 45 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-電力損失:58 W
チャネル・モード:エンハンスメント
認定: AEC-Q100
コンフィギュレーション:シングル
ダウンタイム:39 ns
高さ: 2.3 mm
長さ: 6.5 mm
立ち上がり時間:9 ns
シリーズ: XPD50P04
トランジスタタイプ: 1 Pチャンネル
標準オフ遅延時間:46 ns
標準ターンオン遅延時間:12 ns
幅:6.22 mm
想定用途
モーターブリッジ用ハイサイドMOSFET(ハーフブリッジ、Hブリッジ、三相モーター)
40VのPチャンネルをハイサイド・デバイスとして使用することにより、チャージポンプを必要としないブリッジ構成が実現可能
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TDSON-8
35000
40V、デュアルNチャンネル、11.6 mΩ最大、車載用MOSFET、デュアルSS08(5x6)、OptiMOS™-T2
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