商品名称:IPS65R1K4C6
データマニュアル:Infineon-IPS65R1K4C6-DS-v02_01-EN.pdf
ブランド:INFINEON
年:21+
パッヶージ:TO-251
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
型 | 商品概要 |
---|---|
カテゴリ | ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー | Infineon Technologies |
シリーズ | CoolMOS™ |
パッケージ | チューブ |
部品状況 | 購入可能最終日あり |
FETタイプ | Nチャンネル |
技術 | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 650 V |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 3.2A(Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 1.4オーム @ 1A、10V |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3.5V @ 100µA |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 10.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±20V |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 225 pF @ 100 V |
FET機能 | - |
電力散逸(最大) | 28W(Tc) |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
取り付けタイプ | スルーホール |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO251-3-11 |
パッケージ/ケース | TO-251-3スタブリード、IPak |
ベース品番 | IPS65R1 |
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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