STW14NK50Zは、SuperMESH™ファミリに属するNチャネル・パワーMOSFETで、高耐圧、低オン抵抗、高通電容量を特長としています。SuperMESHTMファミリは、STの実績ある帯域PowerMESHTMレイアウトを極限まで最適化した結果です。 SuperMESHTMファミリは、STの実績ある帯域PowerMESHTMレイアウトを極限まで最適化したもので、オン抵抗の大幅な低減に加え、最も要求の厳しいアプリケーション向けに優れたdv/dt能力を確保するために特別な配慮がなされています。 本シリーズは、画期的なMDmeshTM製品を含むSTの高耐圧MOSFET製品群を補完するものです。
特長
極めて高いdv/dt能力
100%アバランシェ・テスト済み
ゲート電荷の最小化
非常に低い固有容量
非常に優れた製造再現性
仕様
製品カテゴリ: MOSFET
技術:Si
実装スタイル:スルーホール
パッケージ/ケース: TO-247-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:500 V
Id-連続ドレイン電流:14 A
Rds-ドレインオン抵抗:380 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 30 V, + 30 V
Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧:3 V
Qg-ゲート電荷: 92 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
パラジウム-電力損失:150 W
チャネルモード: エンハンスメント
コンフィギュレーション:シングル
立ち下がり時間: 12 ns
順方向トランスコンダクタンス - min: 12 S
高さ: 20.15 mm
長さ: 15.75 mm
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 16 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 54 ns
標準ターンオン遅延時間:24 ns
幅: 5.15 mm
モデル
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