STW14NK50Zは、SuperMESH™ファミリに属するNチャネル・パワーMOSFETで、高耐圧、低オン抵抗、高通電容量を特長としています。SuperMESHTMファミリは、STの実績ある帯域PowerMESHTMレイアウトを極限まで最適化した結果です。 SuperMESHTMファミリは、STの実績ある帯域PowerMESHTMレイアウトを極限まで最適化したもので、オン抵抗の大幅な低減に加え、最も要求の厳しいアプリケーション向けに優れたdv/dt能力を確保するために特別な配慮がなされています。 本シリーズは、画期的なMDmeshTM製品を含むSTの高耐圧MOSFET製品群を補完するものです。
特長
極めて高いdv/dt能力
100%アバランシェ・テスト済み
ゲート電荷の最小化
非常に低い固有容量
非常に優れた製造再現性
仕様
製品カテゴリ: MOSFET
技術:Si
実装スタイル:スルーホール
パッケージ/ケース: TO-247-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:500 V
Id-連続ドレイン電流:14 A
Rds-ドレインオン抵抗:380 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 30 V, + 30 V
Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧:3 V
Qg-ゲート電荷: 92 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
パラジウム-電力損失:150 W
チャネルモード: エンハンスメント
コンフィギュレーション:シングル
立ち下がり時間: 12 ns
順方向トランスコンダクタンス - min: 12 S
高さ: 20.15 mm
長さ: 15.75 mm
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 16 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 54 ns
標準ターンオン遅延時間:24 ns
幅: 5.15 mm
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 8x8
3000
Nチャネル600 V、175 mOhm典型値、15 A MDMesh DM 6パワーMOSFET、PowerFLAT 8 x 8 HVパッケージ
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
STMicroelectronics(ST)グループは、イタリアのSGSMicroelectronicsとフランスのThomsonSemiconductorの合併により1987年に設立されました。 1998年5月、SGS-THOMSONMicroelectronicsは社名をSTMicroelectronicsLimitedに変更しました。 STMicroelectronicsは、世界最大…
STL220N6F7
STL220N6F7は、STマイクロエレクトロニクスのNチャネルパワーMOSFETで、STripFET™ F7シリーズに属し、PowerFLAT™(56mm)パッケージを採用しています。L9963T
L9963Tは汎用SPIから絶縁SPIへのトランシーバーで、異なる電圧領域のデバイス間で通信ブリッジを確立するために使用されます。LIS3MDLTR
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STM8AF52A8TAYは、自動車用8ビットマイクロコントローラー(MCU)で、STM8Aシリーズに属し、高性能、低消費電力、豊富な周辺機器インターフェースを備え、自動車電子機器、産業制御など多様なアプリケーションに最適です。連絡先電話:86-755-83294757
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