商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:TDSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:26800 件
BSC010N04LSTは、先進技術とパッケージ動作温度の改善を示すSuperSO8パッケージのOptiMOS™ 5パワーMOSFETです。 この新しい組み合わせにより、電力密度と耐久性が向上しています。
175°C TJ_MAXの高電力により、より低い定格のデバイスよりも高いジャンクション温度での動作や、同じジャンクション温度での長寿命化が可能になります。 また、安全動作領域(SOA)も20%拡大した。 この新しいパッケージは、通信、モータードライブ、サーバーなどのアプリケーションにより適しています。
BSC010N04LST 特長
低RDS(on)
同期整流用に最適化
SuperSO8パッケージ、動作温度が175℃に向上
BSC010N04LSTの製品属性
製品カテゴリ: MOSFET
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:TDSON-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流:100 A
Rds-ドレインオン抵抗:1 mOhms
Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧:1.2 V
Qg - ゲート電荷量: 133 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 150 C
パラジウム-電力損失:139 W
チャネル・モード: エンハンスメント
コンフィギュレーション:シングル
フォールオフ時間: 9 ns
順方向トランスコンダクタンス(最小): 140 S
立ち上がり時間:12 ns
トランジスタ・タイプ: 1 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間:46 ns
標準ターンオン遅延時間:10 ns
BSC010N04LST潜在的アプリケーション
モーター・ドライブ
サーバー
通信用
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 100 V 26A(Ta)、276A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
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