IRS2110SPBFは、高電圧側と低電圧側の独立した基準出力チャンネルを持つ高耐圧、高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバです。 独自のHVICおよびラッチアップ耐性CMOS技術により、堅牢なモノリシック構造を実現しています。 ロジック入力は、ロジック電圧が3.3Vと低い標準CMOSまたはLSTTL出力と互換性があります。出力ドライバは、ドライバの相互伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファ・ステージを備えています。 伝搬遅延は、高周波アプリケーションでの使用を簡素化するために調整されています。 フローティング・チャネルは、動作電圧が500Vまたは600Vまでの高電圧側構成で、Nチャネル・パワーMOSFETまたはIGBTの駆動に使用できます。
IRS2110SPBFの製品特性
ドライブ構成: ハーフブリッジ
チャンネルタイプ: 独立型
ドライバ数:2
ゲートタイプ: IGBT、NチャンネルMOSFET
電圧 - 供給電圧: 10V~20V
ロジック電圧: - VIL、VIH 6V、9.5V
電流 - ピーク出力(プルイン、プルアウト): 2.5A、2.5A
入力タイプ: 非反転
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 500 V
立ち上がり/立ち下がり時間(代表値): 25ns、17ns
動作温度: -40°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/シェル:16ピンSOIC(0.295インチ、7.50mm 幅)
サプライヤーデバイスパッケージ: 16-SOIC
IRS2110SPBFの特長
ブートストラップ動作用に設計されたフローティングゲートドライバ
最大動作電圧:+500 V
オプションで+600 Vまでのフル動作電圧(IRS2113)
負の過渡電圧に耐え、dV/dtに影響なし
ゲート・ドライバ電源電圧範囲:10 V~20 V
デュアル低電圧ロックアウト
3.3Vロジックに対応
独立したロジック電源範囲:3.3 V~20 V
デュアル・チャネル伝搬遅延マッチング
ロジックおよび電源グラウンド±5 Vオフセット
プルダウン付きCMOSシュミット・トリガ入力
サイクルバイサイクルのエッジトリガシャットダウンロジック
入力と同位相の出力
IRS2110SPBF アプリケーション
小型電気自動車(LEV)
モーター制御
太陽光発電
電力変換
電動工具
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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