STW35N60DM2高電圧NチャネルパワーMOSFETは、MDmesh™DM2高速リカバリダイオードシリーズの一部です。非常に低い回復電荷(Qrr)と時間(trr)、低いRDS (on)を持つため、最も過酷な高効率変換器に適しており、ブリッジトポロジーやZVS位相シフト変換器に最適です。
STW35N60DM2の仕様です
商品ラインナップ:MOSFETです。
RoHS:詳しい情報です
技術:Siです
インストールスタイル:スルーホールです
パッケージ:to-247-3です。
トランジスタの極性はn-channelです
チャンネル数:1チャンネルです。
Vds-ドレイン・ソース・パンクオーバー電圧:600 Vです
Id-連続ドレイン電流28 Aです
Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:110 mOhmsです
Vgsゲートソース電圧は- 25 V + 25 Vです
Vgs th-ゲートソース阈値電圧:3 Vです
qg-ゲート電荷:54 nCです
働作温度:- 55°Cから+ 150°Cです。
Pd-電力散逸:210 Wです。
チャンネルモード:Enhancementです
商標名:MDmeshです。
パッケージ:Tubeです
商標:STMicroelectronicsです
構成:シングルです
降下時間:10.7 nsです
製品タイプ:MOSFETsです
立ち上がり時間:17 nsです
シリーズ:STW35N60DM2です
モデル
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パッヶージ
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答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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