商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PQFN-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:25000 件
IRFH7084TRPBFは、StrongIRFET™パワーMOSFETファミリーの低RDS(導通)と大電流能力に最適化されています。 これらのデバイスは、性能と耐久性が求められる低周波アプリケーションに最適です。 この包括的なポートフォリオは、DCモーター、バッテリー管理システム、インバーター、DC-DCコンバーターなど、幅広いアプリケーションに対応しています。
機能概要
業界標準の表面実装電源パッケージ
JEDEC規格認定
スイッチング周波数100 kHz以下のアプリケーション向けに最適化されたシリコン
旧世代のシリコンよりも柔らかいボディ・ダイオード
幅広い製品ポートフォリオを提供
利点
ゲート、アバランシェ、およびダイナミックdV/dt強度の向上
キャパシタンスとアバランシェSOAの完全特性化
強化されたボディ・ダイオードのdV/dtおよびdI/dt能力
鉛フリーおよびRoHS対応
IRFH7084TRPBFのデバイス特性:
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):40 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 1.25 mOhm @ 100A、10V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 3.9V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@Vgs:190nC@10V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 6560 pF @ 25 V
許容損失(最大): 156W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース: 8-PowerTDFN
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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